文档介绍：课程设计论文(设计) 题目: 硅太阳电池工艺研究姓名:学院: 光伏工程学院专业: 光伏材料加工与应用技术班级: 08 级光伏( 2 )班学号: 2085110204 指导教师: 目录摘要 1 1引言2 2丝网印刷电极穿透二氧化钛膜的太阳电池 2 3二氧化硅钝化膜的应用 4 4辉光放电法制作氮化硅减反射膜 5 5纳米二氧化硅的制备方法 5 干法制备纳米二氧化硅 6 溶胶一凝胶法制备纳米二氧化硅 6 碱金属的硅酸盐制备纳米二氧化硅 7 微乳液法制备纳米二氧化硅 7 超重力法制备纳米二氧化硅 7 利用自然资源制备纳米二氧化硅 8 利用蛇纹石制备纳米二氧化硅 8 利用硅灰石制取二氧化硅 8 由稻壳提取高纯二氧化硅 8 6讨论及结论 9 7致谢 10 8参考文献 11 硅太阳能电池工艺的研究摘要: 采用热氧化法在多晶硅及单晶硅大面积太阳电池上生长二氧化硅钝化膜, 结合丝网印刷制电极及二氧化钛减反射膜工艺, 使太阳电池的扩散长度及效率得到改进。也进行了在多晶硅太阳电池上采用等离子沉积法制作氮化硅减反射膜的研究。关键词:钝化膜,晶体硅太阳电池,氮化硅膜,丝网印刷法 1引言近年来在太阳电池表面制作氧化膜进行表面钝化, 以进一步提高太阳电池的性能,颇为人们关注。但报道的大部分实验都采用真空蒸镀金属膜的方法,且金属膜与硅表面间的氧化膜用光刻工序去除, 以避免因电极与氧化膜间的接触电阻而影响钝化效果。此外,钝化作用在高质量的硅片上才具有明显的效果。而目前实用型太阳电池大部分采用丝网印刷工艺制作电极, 且常用太阳级硅片, 因而有必要从实用角度来进行硅表面钝化的研究。 1984 年日本京都陶瓷公司采用 PECVD 法沉积氮化硅膜, 并用于生产线, 使太阳电池性能有了较大提高。但世界上其它多晶硅太阳电池生产厂并没有采用该法制备减反射膜,因而其实际效果有待更多的研究来进行评估。在我们的试验中, 用多晶硅及太阳级单晶硅片作样品, 用丝网印刷制作电极, 用烧透氧化膜, 即增高烧结温度的方法, 使银厚膜穿过氧化膜与硅表面形成欧姆接触,以探讨简化工艺,降低成本的途径。 2 丝网印刷电极穿透二氧化钛膜的太阳电池首先进行将电极印刷在喷涂法制作的二氧化钛减反射膜上并在 800 ℃下进行烧结实验, 以证明银厚膜可以穿透氧化物膜而形成良好电接触。实验中,先用有添加 N 型掺杂剂的银浆, 后用未经掺杂的银浆, 两者均能得到性能良好的太阳电池。丝网印刷电极前后镀二氧化钛膜的太阳电池, 其效率对比见表 1。表 1 列出的两种太阳电池, 其丝网印刷电极均采用一次烧结法, 单晶硅太阳电池的面积为 96cm , 两者的效率比较接近。先镀减反射膜对大批量自动化生产电池是有利的,焊接导带时不需要穿透氧化膜,易于进行自动化焊接。两种电池的典型电性能列于表 2。表1 丝网印刷电极前后镀减反射膜的太阳电池效率对比 Table 1 before and after screen-printed electrodes coated anti-reflection film solar cell parison 后镀膜效率(%) 前镀膜效率(%) 113. 3213. 6313. 3413. 2512. 2 613. 6713. 0813.