文档介绍：材料科学基础
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在实际晶体中，由于原子（或离子、分子）的热运动，以及晶体的形成条件、冷热加工过程和其他辐射、杂质等因素的影响，实际晶体中原子的排列不可能那样规则、完整，常存在各种偏离理想结构的情况，即晶体缺陷。
晶体缺陷对晶体的性能，特别是对那些结构敏感性能，如屈服强度、断裂强度、塑性、电阻率、磁导率等有很大影响。另外晶体缺陷还与扩散、相变、塑性变形、再结晶、氧化、烧结等有密切关系。
因此，研究晶体缺陷具有重要的理论与实际意义。
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晶体结构缺陷的类型 按几何形态分类:
1. 点缺陷
2. 线缺陷
3. 面缺陷
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（零维缺陷）
  缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。
包括：
空位（vacancy）、
间隙质点（interstitial particle）、
杂质质点（foreign particle）。
点缺陷与材料的电学性质、光学性质、高温动力学过程等有关。
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图2-1 晶体中的点缺陷
(a)空位
(b)杂质质点
(c)间隙质点
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（一维缺陷）
指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短，如各种位错（dislocation）。
线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。
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图4-2 (a) 刃位错 (b)螺位错
(a)
(b)
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面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小，如晶界、相界等。
面缺陷的取向及分布与材料断裂韧性有关。
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图4-3 面缺陷－晶界
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点缺陷 (point defects)
是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列的一种缺陷。
特征：三个方向尺寸都很小，不超过几个原子间距。
晶体点缺陷包括空位、间隙原子、杂质或溶质原子，以及由它们组成的复杂点缺陷，如空位对、空位团和空位-溶质原子对等。
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