文档介绍：薄膜晶体管目录简介发展历史现状原理发展前景图书信息简介薄膜晶体管( 英文名称为 Thin-film transistor ,简称 TFT) 是场效应晶体管的种类之一, 大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜,如半导体主动层、介电层和金属电极层。薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件, 对显示器件的工作性能具有十分重要的作用. 发展历史及现状人类对 TFT 的研究工作已经有很长的历史. 早在 1925 年,Julius Edger Lilienfeld 首次提出结型场效应晶体管(FET) 的基本定律, 年,Lilienfeld 又将绝缘栅结构引进场效应晶体管( 后来被称为 MISFET).1962 年,Weimer 用多晶 CaS 薄膜做成 TFT; 随后, 又涌现了用 CdSe,InSb,G e 等半导体材料做成的 TFT 器件. 二十世纪六十年代, 基于低费用, 大阵列显示的实际需求,TF T 3年,Brod y等人 136 光子技术 2006 年9 月首次研制出有源矩阵液晶显示(AMLCD), 并用 CdSe TFT 作为开关单元. 随着多晶硅掺杂工艺的发展,1979 年后来许多实验室都进行了将 AMLCD ber,Spear 和 Ghaith 用 a-Si:H 做有源层, 做成 TFT 器件. 以玻璃为衬底的研究. 二十世纪八十年代, 硅基 TFT 在 AMLC D 中有着极重要的地位, 6年 Tsumur a 等人首次用聚噻吩为半导体材料制备了有机薄膜晶体管(OTFT),OTFT 技术从此开始得到发展. 九十年代, 有机半导体材料作为活性层成为新的研究热点. 由于在制造工艺和成本上的优势,OTF T 被认为将来极可能应用在 LCD,OLED 的驱动中. 近年来,OTFT 年, 飞利浦公司采用多层薄膜叠合法制作了一块 15 微克变成码发生器(PCG); 即使当薄膜严重扭曲, 年, 无定型金属氧化物锆酸钡作为并五苯有机薄膜晶体管的栅绝 IBM 公司用一种新型的具有更高的介电常数缘层, 使该器件的驱动电压降低了 4V, 迁移率达到 -1s- 9年,Bel l 实验室的 Kat z 和他的研究小组制得了在室温下空气中能稳定存在的噻吩薄膜, 并使器件的迁移率达到 -1s- 实验室用并五苯单晶制得这向有机集成了一种双极型有机薄膜晶体管, 该器件对电子和空穴的迁移率分别达到 -1s-1 和 -1s-1, 电路的实际应用迈出了重要的一步. 最近几年, 随着透明氧化物研究的深入,以 ZnO,ZIO 等半导体材料作为活性层制作薄膜晶体管, 因性能改进显着也吸引了越来越多的兴趣. 器件制备工艺很广泛, 比如:MBE,CVD,PLD 等, -TFT 年,Nomur a 等人使用单晶 InGaO3(ZnO) 5 获得了迁移率为 80 cm2V-1s-1 的 TFT 器件. 美国杜邦公司采用真空蒸镀和掩膜挡板技术在聚酰亚铵柔性衬底上开发了 ZnO-TFT, 这是在聚酰亚铵柔性衬底上首