文档介绍：—多媒体教学课件
模拟电子技术基础 Fundamentals of Analog Electronics 童诗白、华成英 主编
第四版童诗白
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1. 本课程的性质
电子技术基础课
2. 特点
些杂质，会使它的导电能力明显改变。
光敏器件
二极管
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完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导
体 称为本征半导体
将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。
价电子
共价键
图 本征半导体结构示意图
二、本征半导体的晶体结构
当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。
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图 本征半导体中的
自由电子和空穴
自由电子
空穴
若 T ，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。
T
自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。
空穴可看成带正电的载流子。
三、本征半导体中的两种载流子
（动画1-1）
（动画1-2）
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四、本征半导体中载流子的浓度
在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。
本征半导体中载流子的浓度公式：
T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =×1010/cm3
本征锗的电子和空穴浓度: n = p =×1013/cm3
ni= pi= K1T3/2 e -EGO/(2KT)
本征激发
复合
动态平衡
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1. 半导体中两种载流子
带负电的自由电子
带正电的空穴
2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，
称为 电子 - 空穴对。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi
表示，显然 ni = pi 。
4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动 会达到平衡，载流子的浓度就一定了。
5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升
高，基本按指数规律增加。
小结：
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杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体
P 型半导体
一、 N 型半导体(Negative)
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、***等，即构成 N 型半导体(或称电子型 半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、***等。
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本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n >> p 。
电子称为多数载流子(简称多子)，
空穴称为少数载流子(简称少子)。
5 价杂质原子称为施主原子。
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