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第三版模拟电子技术基础简明教程及答案.docx

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第三版模拟电子技术基础简明教程及答案.docx

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第三版模拟电子技术基础简明教程及答案.docx

文档介绍

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benasda<br****题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。<br****题1-2假别如图P1-12(a)和(b)所示。
查看该三极管的穿透电流厶酥约为多大?输入特性的死区电压约为多大?
为了使PNP型三极管工作在放大区,其叫口和%,的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN型三极管进行比较。
解:①查图可知,I=0・5mA,;
CEO
②为了使三极管工作在放大区,
0
对PNP型:u&lt;0,w&gt;0;
BEBC
对NPN型:u&gt;0,u&lt;0。
BEBC
0<br****题1-13测得某电路中几个三极管各极的电位如图P1-13所
示,试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。
(b)(c)
+8Vo
0
0
0V+5V
(e)(f)
+
oC
-6V+10V
(c)(d)
放大饱和
0V
+12V
(a)
(b)
放大
截止
-1V+12V
(g)(h)
解:判断依据:
NPN型:u&gt;0,uv0,放大;u&gt;0,u&gt;0,饱和;
BEBCBEBC
UBE&lt;0,UBC&lt;0,截止。
PNP型:u&lt;0,u&gt;0,放大;u&lt;0,u&lt;0,饱和;
BEBCBEBC
&gt;0,W&gt;0,截止。
BEBC
0<br****题1-14已知图P1-14(a)~(f)中各三极管的B均为50,
UBE~0・7V,试分别估算各电路中的iC和uCE工作在哪个区(截止、放大或饱和)C并将C,.
““对应在输出特性曲线上的位置分别画在图P1-14(g)上。
,判断它们各自各管子的匚和
CE
0
2V
2kQ
20kQ
Tiov
T
200kQ
10V
0
(a)
I=
B

C
U=
CE
三极管工作在放大区,见图P1-14(g)中A点。
(b)
I=
B

C
U=
CE
三极管工作在放大区,见图P1-14(g)中B点。
0
0
B

C
U=—
CE
B
IU0
C
UUV=10VCECC
三极管工作在截止区,
见图P1-14(g)中D点。
以上算出的&#39;与&quot;值是荒谬的,实质上此时三极管巳工作
在饱和区,故Z=,
B
I~V&quot;/R=5mA,=U
~0・3V,见图P1-14(g)申C点。
0
0
B
IU0
C
UUV=10V
CECC
B

C
U=V=10V
CECC
0
三极管工作在截止区,
见图P1-14(g)中E点
(与D点重合)。
三极管工作在放大区,见图P1-14(g)中F点。
0
0
图P1-14(g)
gV(+9v)(+)
(a)
(-6V)(-)
(a)
ZB=100MA
SOMA60MA
■40MA
-20MA
OMA
-■1►
6S10ZiCE/v
D、E<br****题1-15分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15所示。试识别它们的管脚,分别标上e、b、c,并判断这两个三极管是NPN型还是PNP型,硅管还是锗管。
解:本题的前提是两个三极管均工作在放大区。
1—发射极e,3一一基级b,2一一电极c,三极管类型是NPN锗管。
2——发射极e,3一一基级b,1一电极c,三极管类型是PNP硅管。
0<br****题1-16已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性曲线如图P1-16所示。试作出%=15V时的转移特性曲线,并由特性曲线求出该场效应管的开启电压UGS(t■、和ZDO值,以及当%=15V,
^d/mA
GS(th)DO
%GS=4V时的跨导g。GS
4-
3-
2・
rrf
DS
—4-
3-
2-
1-
^d/ioA
%=15V
DSZ/gs=

012345I101520&quot;m/V
由图可得,开启电压U=2V,I=,
AiGS(th)4-
g=匸==
-
G