文档介绍：半导体试题（A）
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陕西科技大学试题纸
课程 半导体物理 班级
学号 姓名
题号
一
二
三
四
五
六
七
八
九
十
总分
得分
阅卷人
基本方程分别为：（ 泊松方程）、（输运方
程 ）、（连续性方程 ）。
. 一般在非平衡状态时，往往总是多数载流子的准费米能级和平衡时的费米能
级偏离（ 不多），而少数载流子的准费米能级偏离（ 大）。
三、简答题（15）
.何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？
答：当半导体中既有施主又有受主时，因为施主和受主问的相互作用，施主和 受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电离，这就是杂质补偿。利用杂质补偿效 应，采用扩散或离子注入方法可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类 型，制造各种器件。杂质补偿需控制得当，否则会出现杂质的高度补偿。
.什么是欧姆接触？金属与半导体形成欧姆接触的方法有那些？
答：欧姆接触是指其电流-电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触，即不产 生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著改变。
形成欧姆接触的常用方法有两种，如果： Ws>Wm,其一是金属与重掺杂n型半
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导体形成能产生隧道效应的薄势垒层，其二是金属与 p型半导体接触构成反阻
挡层。
.平均自由程与扩散长度有何不同？
答：平均自由程是在连续两次散射之间载流子自由运动的平均路程。而扩散长 度则是非平衡载流子深入样品的平均距离。它们的不同之处在于平均自由程由 散射决定，有 1/P,而扩散长度由扩散系数和材料的寿命来决定，有 Lp JDT。
四、试分析间接复合效应与陷阱效应有何异同。(15)
答：间接复合效应是指非平衡载流子通过位于禁带中特别是位于禁带中央的杂 质或缺陷能级Et而逐渐消失的效应，Et的存在可能大大促进载流子的复合； 陷阱效应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级 Et中，使在
Et上的电子或空穴的填充情况比热平衡时有较大的变化，从引起A nwAp,这种 效应对瞬态过程的影响很重要。
两者都是在有缺陷能级、非平衡载流子存在的情况下发生的效应。陷阱效 应有电子陷阱和空穴陷阱，而复合中心具有直接复合中心、间接复合中心等。
止匕外，最有效的复合中心在禁带中央，而最有效的陷阱能级在费米能级附 近，对于再低的能级，平衡时已被电子填满，不可能有陷阱作用。一般来说， 所有的杂质或缺陷能级都有某种程度的陷阱效应，而且陷阱效应是否成立还与 一定的外界条件有关。
陷阱中心的存在大大增长了从非平衡态回复到平衡态的驰豫时间，因此陷 阱的存在将影响对寿命的测试，而用于光电导体的硫化物或氧化物中的陷阱中 心往往起决定性的作用。可以将复合效应用于开关期间以及与之有关的的电路 制造中，如硅中掺金，可以大大缩短少数载流子的寿命，提高响应时间。
五、C0和Cs分别为绝缘层的电容和半导体的电容，证明理想 MIS结构的电容
C有如下关系式： ...
所以工工工 4
C Co Cs
(15)
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MIS结构的等效结构如图(图略)，设 MIS结构上所加电压为Vg,金属极板
上的电荷为Qm