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实验报告计划芯片解剖实验报告计划
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实验报告计划芯片解剖实验报告计划
实验报告芯片解剖实验报告
课程名称:芯片解剖实验
学号:
姓名:
教师:
年6月28日
实验一去塑胶芯片的封装实验时间:同组人员:一、实验目的
认识集成电路封装知识,集成电路封装种类。
认识集成电路工艺流程。
掌握化学去封装的方法。二、实验仪器设备
:烧杯,镊子,电炉。
:发烟***,弄硫酸,芯片。
:超纯水等其他设备。
三、实验原理和内容
实验原理:
1..传统封装:塑料封装、陶瓷封装
(1)塑料封装(环氧树脂聚合物)
双列直插DIP、单列直插SIP、双列表面安装式封装SOP、四边形扁平封装QFP拥有J型管脚的塑料电极芯片载体PLCC、小外形J引线塑料封装SOJ
2)陶瓷封装
拥有气密性好,高可靠性也许大功率
耐熔陶瓷(三氧化二铝和合适玻璃浆料):针栅阵列PGA、陶瓷扁平封装FPG
薄层陶瓷:无引线陶瓷封装LCCC
2..集成电路工艺
1)标准双极性工艺
2)CMOS工艺
3)BiCMOS工艺
去封装
.陶瓷封装
一般用刀片划开。
塑料封装
化学方法腐化,沸煮。
1)发烟***煮(小火)20~30分钟
2)浓硫酸沸煮30~50分钟实验内容:
四、实验步骤
打开抽风柜电源,打开抽风柜。
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将要去封装的芯片(去掉引脚)放入有柄石英烧杯中。
带上塑胶手套,在药品台上去浓***。向石英烧杯中注入合适浓***。(操作时必然注意安全)
将石英烧杯放到电炉上加热,记录加热时间。(注意:火不要太大)
观察烧杯中的变化,并做好记录。
取出去封装的芯片并冲刷芯片,在显微镜下观察腐化收效。
等完成腐化后,对废液进行办理。
五、实验数据
:开始放入芯片,煮大体2分钟,发烟***即与塑胶封转起反
应,
此时溶液颜色开始变黑。
:连续煮芯片,发现塑胶封装开始大量溶解,溶液颜色变浑浊。
:大体二十五分钟,芯片塑胶部分已经基本去除。
:取下烧杯,看到闪亮的芯片伴有反光,此时芯片塑胶已经基本去除。
六、结果及解析
1:加热芯片前要早先用钳子把芯片的金属引脚去除,因为此时
若是不去除,它会与酸反应,耗资酸液。
:在芯片去塑胶封装的时候,加热必然要小火加热,因为发烟盐酸是易挥发物质,若是采用大火加热,其中的酸累物质变会分解挥
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发,引起简单浓度变低,进而可能照成芯片去封装不完好,也许去封
装速度较慢的情况。
:经过实验,认识了去塑胶封装的基本方法,和去封装的一般
步骤。
实验二金属层芯片拍照实验时间:同组人员:
一、实验目的
.学****芯片拍照的方法。
.掌握拍照主要操作。
能够正确使用显微镜和电动平台二、实验仪器设备
:去封装后的芯片
:芯片图像采集电子显微镜和电动平台
:实验用PC,和图像采集软件。
三、实验原理和内容
:实验原理
依照芯片工艺尺寸,选择合适的放大倍数,用带CCD摄像头的显微镜对芯片进行拍照。以行列式对芯片进行图像采集。注意调平芯片,注意拍照时的清楚度。2:实验内容
采集去封装后金属层照片。
四、实验步骤
打开拍照电脑、显微镜、电动平台。
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将载物台粗调焦旋钮逆时针旋转终究(即载物台最低),小心取下载物台四英寸硅片平方在桌上,用塑料镊子谨言慎行的将裸片放到硅片靠中心的地址上,将硅片放到载物台。
小心搬动硅片尽量将芯片平展。
打开拍照软件,建立新拍照任务,选择合适倍数,并调整到显示图像。(此处选择20倍物镜,即拍200倍照片)
将显微镜物镜旋转到最低倍5X,慢慢载物台粗调整旋钮使载物台慢慢上升,直到有模糊图像,这时需要小心调整载物台地址,直至看到图像最清楚。
观察图像,将芯片调平(方法认真听取指导老师讲解)。
观察整体收效,观察可否有严重错位现象。若是有严重错位,要进行重拍。
保存图像,关闭拍照工程。
将显微镜物镜顺时针跳到最低倍(即:5X)。
逆时针旋转粗调焦旋钮,使载物台下降到最低。
用手柄调治载物台,到居中地址。
关闭显微镜、电动平台和PC机。
五、实验数据
采集后的芯片金属层图片以下:
六、结果及解析
:实验掌握了芯片金属层拍照的方法,电动平台和电子显微镜的使用,熟悉了图像采集软件的使用方法。
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:在拍摄金属层图像时,每拍完一行照片要进行检查,因为芯片有余曝光和聚焦的差异,可能会使某些照片不清楚,对后边的金属层拼接照成困难。所以拍完一行后要对其进行检查,对不吻合标准的照片进行重新拍照。
:拍照是要保证芯片全部在采集视野里,依照四点确定一个四边形平面,要确定芯片的四个角在采集视野里,就可以保证整个芯片都在采集视野里。
:拍照时的倍数选纲要与工程分辨率保持一致,过大或过小会引起芯片在整个视野里的分辨率,不能够达到合适的收效,所以采用相同的倍数,保证芯片的在视野图像大小合适。
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