文档介绍：宏观现象-微观本质-对应性能
形变-材料内部质点之间发生相对位移-应变
弹性形变-原子间结合力抵抗外力-弹性模量
滞弹性-质点间的相对位移需要时间-蠕变和松弛时间
塑性形变-位错运动-屈服应力
高温蠕变-外应力和热激活导致的蠕变-蠕变曲线
受力形变问题小结
理论强度、应力集中现象、实际断裂强度
微裂纹理论:脆性断裂的本质及裂纹扩展的能量判据
断裂韧性-K判据及应力场强度因子
裂纹的起源与快速扩展
亚临界裂纹扩展-概念、机理
材料的寿命及预测寿命的两种方法
材料强度的主要影响因素
脆性的概念、本质、根源及克服材料脆性的原则
克服材料脆性、提高材料强度的途径
断裂强度问题小结
热容——晶体受热后激发出的晶格波与温度的关系,温度升高,在宏观上表现为吸热,实质上是各个频率声子数发生变化。
热膨胀——晶格振动的非简谐性,质点间作用力非线性,质点间的平均距离随温度的升高而增大。
热传导——质点间有相互作用,以格波的形式传递振动能量,能量量子化,即声子或光子的运动。
热稳定性——热应力是热冲击破坏的根源,断裂抵抗判据:弹性力学的应力-应变;损伤抵抗判据:断裂力学的应变能-断裂能。
热学性能小结
体积电阻、表面电阻
载流子(定义、种类、迁移率),霍尔效应,电解效应
电导的微观本质
离子电导迁移率(温度、迁移能),本征离子电导率(温度、电导活化能),杂质离子电导率(温度、杂质浓度、电导活化能)
离子电导率影响因素:温度、晶体结构、晶格缺陷等
本征半导体,n型半导体,p型半导体
电子电导率影响因素:温度、禁带宽度、杂质类型、组分缺陷
双碱效应、压碱效应
多晶多相材料的电导:微晶相、玻璃相、固溶体、晶界、气孔
电导问题小结
电介质、电极化、极化强度、宏观电场、局部电场、克劳修斯-莫索蒂方程
极化的基本形式及其特征
温度和频率对位移式极化和松弛极化的影响
介质损耗、介质损耗形式、损耗角、损耗因子
温度、频率对介质损耗的影响
介质的击穿、介电强度
自发极化、铁电性、铁电畴、电滞回线
压电效应
铁电体、热释电体和压电体之间的关系;铁电、压电陶瓷
介电问题小结
磁化、磁矩、磁性的根源
磁畴、磁化过程、磁滞回线
磁性的分类
影响折射率的因素
色散、散射、漫反射和表面光泽
无机材料透光性及其影响因素
不透明和半透明
磁学、光学小结