文档介绍：概述
晶体管开关特性
分立元件门电路
TTL集成逻辑门电路
其它类型的TTL门
CMOS集成逻辑门电路
知识要点

、外部特性
(OC)门和三态输出(TS)门
、外部特性
双值
电路“ VL”“ VH”
符号“ 0”“ 1”
前面介绍了逻辑变量是双值变量
概述
工程上:
用“0”表示VL,用“1”表示VH称正逻辑。
用“0”表示VH,用“1”表示VL称负逻辑。
ECL: VEE=-; VL=-; VH=-
CMOS: VDD=+3V~+18V; VL=0V; VH= VDD
TTL: VCC=+5V; VL=; VH=
(双极型半导体器件):
(场效应管):
特点:速度快、负载能力强,但是功耗大、结构较复杂,集成规模受到一定限制。
特点:结构简单、制造方便、集成度高、功耗低,但是速度稍慢。

小规模(SSI):<100元器件
中规模(MSI):100-999元器件
大规模(LSI):1000-9999元器件
超大规模(VLSI):>100000元器件

非定制电路(标准逻辑器件)
全定制电路(专用集成电路)
半定制电路(PLD)
A
B
U
R
△t
动态特性: △t 0( 断开闭合)
断开 RAB ->∞
静态特性
闭合 RAB=0
一、理想开关
二极管开关电路及特性曲线如图所示:

二、二极管开关
硅管 UTH=
具有单向导电特性,但并非理想开关电路。
UD
ID
R
A
B
UD
ID
UTH
UBR
1/rD
Ⅱ
Ⅲ
IS
。

开关,它的正向导通电阻rD非0(约为数十欧),
反向截止电阻r0也非无穷大(数百千欧)。
主要差异:
因此,在工程上都做近似处理,以简化分析。
A
B
UD
ID
rD=0
r0=∞
0
t
t
UD
ID
t1
t2
ID=UD/R

由图可见,反向恢复时间Δt2>>Δt1,影响二极管
开关速度的主要是Δt2。
,须等待PN结
内部建立起足够的电荷浓度梯度才会有扩散电流形
成,因而ID滞后于UD的跳变。
,由于PN结内
部尚有一定数量的存储电荷,因而瞬间有较大的反
向电流,此后以指数规律趋于0。(实际有反向漏电
流is)。
时延的产生: