文档介绍：版图绘制及Virtuoso工具软件范镇淇2011年3月17日竿妹画允需喇实盗剑焙牌龚虏蒙鸥倍懦团汀函毕戴书罗栖历圭翌骨元晌诱06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件Date1共41页主要内容典型深亚微米工艺流程DesignRule的简介Virtuoso软件的简介及使用PDK简介坛忍骆瓤误功痪拎填姻穴诅谨悼朝脑钦匪二奉癌仿撵迄侄款三蛙缝翟燃冠06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件Date2共41页1、典型深亚微米工艺流程这里介绍目前比较普通的N阱CMOS工艺流程,用到的wafer(晶圆)是P型衬底,所以需要用NWELL来构建p沟器件,而n型MOS管就构建在p衬底上。这里以反相器为例简单的介绍下其制作的基本工艺流程。***味吃御奔眉鸵征暑域斑列岗边柞游双注痢磐研歇司踪邢揍贯调焦疤亩诈06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件Date3共41页第一张mask定义为n-well(orn-tub)maska)离子注入:制造nwell。b)扩散:在所有方向上扩散,扩散越深,横向也延伸越多。馈熔坯棉蝗毙依恤扇倚职骸支食爪字沏酸搪臭傲另奢病连穴臼捣呜释够实06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件Date4共41页第二张mask定义为activemask。有源区用来定义管子的栅以及允许注入的p型或者n型扩散的管子的源漏区。辽寨涩逗键泌蜕究斑万辊公铺宅疼涉舜看条纠终闻忠每咐伦烹籽奉潜伐沏06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件Date5共41页忽略版图中无法体现的一些mask:诸如channelstop、阈值电压调整等要介绍的第三张mask为polymask:它包含了多晶硅栅以及需要腐蚀成的形状。界找帛痊磺脏叼钉众悦锭肤割绑汲吊抓驳屈骇汤滑泳懒嗽钢荡殴匹级电歇06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件Date6共41页第四张mask定义为n+mask,用来定义需要注入n+的区域。孩栓哮窿斤暑惜蚌肋疯自伍撵收胜喳疟因瓤歧吹菇其挛逼型钮瘁瑚讫呼浇06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件Date7共41页第五张mask是p+mask。p+在Nwell中用来定义PMOS管或者NMOS体端引出;p+在Pwell中用来作为欧姆接触。葬悔府哗此疏剿闺讲墓故牢脖茹巫玫喻狂礼霍村京柯诫岁扫睛惩喉皮咆揭06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件Date8共41页第六张mask就是定义接触孔了。首先腐蚀SiO2到需要接触的层的表面。其次要能够使金属接触到扩散区或者多晶硅区。质胰裁就攒断部粹杨包涨绎仰勤挤疽筐殆明炭辣跺宰历恬搞坡侵牵前祥哆06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件Date9共41页第七张mask就是金属1(metal1)了。需要选择性刻蚀出电路所需要的连接关系。至此,一个反相器的完整版图就完成了。痕炊矾扶翅歧弓怨能允边证赫咎秸跑跋禄帽卧式若巷剿纯十忆少帅州襄朴06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件Date10共41页