文档介绍：版图绘制及Virtuoso工具软件范镇淇2011年3月17日Date1共41页/主要内容典型深亚微米工艺流程DesignRule的简介Virtuoso软件的简介及使用PDK简介Date2共41页/1、典型深亚微米工艺流程这里介绍目前比较普通的N阱CMOS工艺流程,用到的wafer(晶圆)是P型衬底,所以需要用NWELL来构建p沟器件,而n型MOS管就构建在p衬底上。这里以反相器为例简单的介绍下其制作的基本工艺流程。Date3共41页/第一张mask定义为n-well(orn-tub)maska)离子注入:制造nwell。b)扩散:在所有方向上扩散,扩散越深,横向也延伸越多。Date4共41页/第二张mask定义为activemask。有源区用来定义管子的栅以及允许注入的p型或者n型扩散的管子的源漏区。Date5共41页/忽略版图中无法体现的一些mask:诸如channelstop、阈值电压调整等要介绍的第三张mask为polymask:它包含了多晶硅栅以及需要腐蚀成的形状。Date6共41页/第四张mask定义为n+mask,用来定义需要注入n+的区域。Date7共41页/第五张mask是p+mask。p+在Nwell中用来定义PMOS管或者NMOS体端引出;p+在Pwell中用来作为欧姆接触。Date8共41页/第六张mask就是定义接触孔了。首先腐蚀SiO2到需要接触的层的表面。其次要能够使金属接触到扩散区或者多晶硅区。Date9共41页/第七张mask就是金属1(metal1)了。需要选择性刻蚀出电路所需要的连接关系。至此,一个反相器的完整版图就完成了。Date10共41页/