文档介绍：第14章半导体器件
教学内容:PN结的单向导电性;二极管的伏安特性及主要参数;晶体管的基本结构、电流分配与放大原理,晶体管特性及主要参数。
教学要求:了解PN结的单向导电性;了解二极管的伏安特性及主要参数;理解晶体管、场效应管的放大原理。
重点:晶体管特性曲线。
一、选择题
1、理想二极管的反向电阻为( b )。
(a) 零(b) 无穷大(c) 约几百千欧
2、当温度升高时,半导体的导电能力将( a )。
(a) 增强 (b) 减弱(c) 不变(d) 不能确定
3、半导体二极管的主要特点是具有( b )。
(a) 电流放大作用 (b) 单向导电性(c) 电压放大作用
4、二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而( a )。
(a) 增大(b) 减小(c) 不变
5、晶体管的电流放大系数是指( b )。
(a) 工作在饱和区时的电流放大系数
(b) 工作在放大区时的电流放大系数
(c) 工作在截止区时的电流放大系数
6、稳压管的动态电阻 rZ 是指( b )。
(a) 稳定电压 UZ 与相应电流 IZ 之比
(b) 稳压管端电压变化量 UZ 与相应电流变化量 IZ 的比值
(c) 稳压管正向压降与相应正向电流的比值
7、已知某晶体管的穿透电流 ICEO = , 集基反向饱和电流 ICBO = 4μA, 如要获得 mA的集电极电流, 则基极电流 IB 应为( c )。
(a) (b) (c) (d)
8、已知某晶体管的 ICEO 为 200μA, 当基极电流为 20μA 时, 集电极电流为1mA,则该管的 ICBO 约等于( c )。
(a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5μA (d) 20μA
9、已知某晶体管处于放大状态, 测得其三个极的电位分别为 6V、9V 和 , 则 6V所对应的电极为( a )。9V所对应的电极为( c )。( b )。
(a) 发射极(b) 集电极(c) 基极
10、如果改变晶体管基极电压的极性, 使发射结由正偏导通改为反偏, 则集电极电流( b )。
(a) 反向(b) 近似等于零(c) 不变(d) 增大
11、工作在放大状态的双极型晶体管是( a )。
(a) 电流控制元件(b) 电压控制元件(c) 不可控元件
12、工作在放大状态的晶体管, 各极的电位应满足( a )。
(a) 发射结正偏,集电结反偏(b) 发射结反偏,集电结正偏
(c) 发射结、集电结均反偏(d) 发射结、集电结均正偏
13、所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指( a )。
(a) 放大区(b) 饱和区(c) 截止区
14、电路如图所示,= V,则该管子的临界饱和电流ICS 约为( c )。
(a) 7mA (b) 10mA (c) 3mA (d) 4mA

15、工作在饱和状态的PNP 型晶体管, 其三个极的电位应为( a )。
(a) VE >VB,VC >VB,VE >VC
(b) VE >VB,VC< VB,VE >VC
(c) VB >VE,VB< VC,VE >VC
二、非客观题
1、电路如图1所示,二极管D1,D2 为理想元件,ui = 6 sinωtV ,如图 2 所示,画出输出电压 uO 的波形。
3V
U
S
1
-
+
图1
图2
-
6
6
3
p
2
p
p
w
t
U
S
2
3V
D
1
D
2
u
i
u
O
0
u
i
V
/
+
-
+
-
+
-
R
2、电路如图所示, 所有二极管均为理想元件,试分析 D、D、D的工作状态。
3、如图所示,UD≈,试分别求当开关断开时和闭合时,U0=? I0=?

4、稳压电路如图:当UI =10V,R=200Ω,UZ =6V,求(1)当RL=10KΩ时,U0 =?(2)当RL=100Ω时,U0 =?(3)说明稳压电路工作原理。
-
-
5、放大电路如图所示,分析其中的晶体管工作在放大区、饱和区还是截止区?说明理由。
b
=
40
10
k
W
1
5
.
k
W
+
6
V

第15章基本放大电路
教学内容:
共发射交流放大电路的组成、工作原理和主要性能指标;静态工作点的稳定;射极输出器工作原理;差分放大电路;互补对称功率放大电路;场效应管放大电路。
教学要求:
了解共发射交流放大电路的组成、工作原理和主要性能指标;知道稳定工作点的方法;了解射极输出器、差动放大电路和场效应管放