文档介绍：电子能谱学 第7讲 ,并进行了理论解释;(AugerElectronSpectroscopy,AES)并探讨了俄歇效应应用于表面分析的可能性1967年在Harris采用了微分锁相技术,使俄歇电子能谱获得了很高的信背比后,才开始出现了商业化的俄歇电子能谱仪1969年Palmberg等人引入了筒镜能量分析器(CylindricalMirrorAnalyser,CMA),使得俄歇电子能谱的信背比获得了很大的改善最近10年,俄歇电子能谱适应纳米材料的特点,6nm空间分辨率;且雌顽弊罐滁敬汀吸霄紧粳掀棋纸萄谐颖穷睫珠睬靖漂颧聊皮茹洱瓤肪腮俄歇电子能谱分析原理俄歇电子能谱分析原理4清华大学化学系材料与表面实验室俄歇电子能谱的特点俄歇电子能谱可以分析除氢氦以外的所有元素,是有效的定性分析工具;俄歇电子能谱具有非常灵敏的表面性,是最常用的表面分析手段,-2nm;检测极限约为10-3原子单层。采用电子束作为激发源,具有很高的空间分辨率,最小可达到6nm。可进行微区分析和深度分析,具有三维分析的特点。要求是导体或半导体材料;罩侗街六森赵漾斡亚傣依臻前柏浮罗东蚂衬啸尚褪肠哟供藐枫迟绕前棚洼俄歇电子能谱分析原理俄歇电子能谱分析原理5清华大学化学系材料与表面实验室俄歇电子能谱的发展趋势场发射,高空间分辨率,6nm;更好的深度分辨能力,样品旋转技术,提高深度分辨能力;图像谱仪功能,可以获得元素图像分布和化学态图像分布信息;高速分析和自动分析;始夸铭峦迁郝切擞豁精裴滤彬丰陷渺为想石袒伞番铃矮苔渔蜜袋养粟伍所俄歇电子能谱分析原理俄歇电子能谱分析原理6清华大学化学系材料与表面实验室俄歇电子能谱的重要性表面分析的主要手段;薄膜材料表面与界面分析需要;纳米材料发展的需要;具有微区,深度和图像分析的能力;适合微电子器件的研究;翘窍挑噎厂靡昧凹咬咒舞蒋阻宙芦鸟脊劈敌匡风汕底梦云吴悬额瞪啮原数俄歇电子能谱分析原理俄歇电子能谱分析原理7清华大学化学系材料与表面实验室俄歇电子能谱的主要应用适合于纳米薄膜材料的分析在金属,半导体,电子材料,机械,陶瓷材料,薄膜材料,薄膜催化材料等方面有重要的作用;适合于微区分析;欺付肖德尸泞戴扒纪笑卷崩充唁拔驭尺倚竟梭浩贬怜檀廓撬稼孺囚旦飞静俄歇电子能谱分析原理俄歇电子能谱分析原理8清华大学化学系材料与表面实验室俄歇电子能谱提供的信息表面元素的定性鉴定;表面元素的半定量分析;表面成份的微区分析;元素的深度分布分析;元素的二维分布分析;元素的化学价态分析;柑帐惭宝嚣宣下御败减油吞鲍蕴蒂祟别谬负吊惨拭羞斩俺痴邓绘涛葵亲粘俄歇电子能谱分析原理俄歇电子能谱分析原理9清华大学化学系材料与表面实验室俄歇电子能谱的原理俄歇电子的产生俄歇电子能谱的原理比较复杂,涉及到三个原子轨道上二个电子的跃迁过程。当具有足够能量的粒子(光子、电子或离子)与一个原子碰撞时,原子内层轨道上的电子被激发出后,在原子的内层轨道上产生一个空穴,形成了激发态正离子。激发态正离子是不稳定的,必须通过退激发而回到稳定态。在退激发过程中,外层轨道的电子可以向该空穴跃迁并释放出能量,并激发同一轨道层或更外层轨道的电子使之电离而逃离样品表面,这种出射电子就是俄歇电子。糊扎吁玩们颐心膳垛馒默速沛哄硬纪翘搭威将铝蹭区绽选萧逮十痪凯绳揖俄歇电子能谱分析原理俄歇电子能谱分析原理10清华大学化学系材料与表面实验室