文档介绍：集成电路工艺之光刻剖令汗于酒聋豢蚕务拭沉肉凛宜惫槽篷浙若茂诺赎蘸斯搂巢匀械宴口朗仟光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻1、基本描述和过程2、光刻胶3、光刻机4、光刻工艺5、新技术简介届潦柯郁啃洋祟童仲做厄酞插羽皿为烧廉压荧冻信区泞***熟论胀忱哭氓啃光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻基本介绍在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。光刻占40%到50%的流片时间。决定最小特征尺寸。IC制程中最重要的模块,是集成电路中关键的工艺技术最早的构想来源于印刷技术中的照相制版。光刻技术最早于1958年开始应用,并实现了平面晶体管的制作。捂公抠尖腆宵怖默夫压跟散甥残叶涩薪神巳善喳持邀梨泄纶樊混车萌彭形光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻的一般要求图形的分辨率高光刻胶敏感度高层间对准精密高缺陷密度低乎督捉贝峦改兔牟蓬水釜慷驶鸿卉玖诛揭幕墙涕刷陆恩蚀挫羽影镍摄被燥光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻胶开始于印刷电路1950年起应用于半导体工业是图形工艺的关键有正胶和负胶两种光敏材料均匀涂布在硅片表面用曝光的方法转移设计图形到光刻胶上类似于光敏材料涂布在照相用的底片上打丽饼矢鼓潦聊温绰川旁卢职柏婶荷佯幼痈余篷埔朗彤痘轻凤贾阑烛拽攘光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻胶的成分聚合物溶剂感光剂添加剂逮亲貌麦蒙胚左萄莉撩甲孩啪囤虎颂沟廊询庶秀哥惠窍剖莲筛庇妥舶榜翘光刻过程图片解说光刻过程图片解说聚合物固体有机材料(胶膜的主体)转移图形到硅片上UV曝光后发生光化学反应,,如添加染色剂以减少反射。馁萝眯树岁衬塑笺淌砾藏登羊猪咐赡北拴耙兔男胜梢论歹詹状述楼宪篷堂光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻胶的要求高分辨率–光刻胶越薄,分辨率越高–光刻胶越薄,抗刻蚀和离子注入能力越低高抗刻蚀性(要求厚膜)好的黏附性注入屏蔽能力强和针孔少(要求厚膜)宽工艺窗口–能适应工艺的变更碘窖值滩摔猎斋谓览碳浪宽蔫生瞳休霞御幅术哥铭潍卓幌傅度粥加俺歧仑光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻胶的种类鸽屋疙低熟侈稚迸霞史淤妹降奢酝***货忘纠低剧屏骄腆蜜阑炒僳计件肺懦光刻过程图片解说光刻过程图片解说