光刻过程图片解说.ppt

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汇报人:视觉设计
部门:创意设计部
溶剂
溶解聚合物
经过旋转涂布可得到薄光刻胶膜.
感光剂
控制和或改变光化学反应
决定曝光时间和强度
添加剂
为达到不同的工艺结果而添加多种不同的化学物质,如添加染色剂以减少反射。
光刻胶的要求
高分辨率
–光刻胶越薄,分辨率越高
–光刻胶越薄,抗刻蚀和离子注入能力越低
高抗刻蚀性(要求厚膜)
好的黏附性
注入屏蔽能力强和针孔少(要求厚膜)
宽工艺窗口
–能适应工艺的变更
光刻胶的种类
光刻机
IC制造中最关键的步骤
IC晶圆中最昂贵的设备
最有挑战性的技术
决定最小特征尺寸
接触式光刻机
接近式光刻机
投影式光刻机
步进式光刻机
接触式光刻机
设备简单
70年代中期前使
用
分辨率:有微米
级的能力
掩膜版和硅片直
接接触,掩膜版
寿命短
接触式光刻机
接近式光刻机
距硅片表面
10微米
无直接接触
更长的掩膜
寿命
分辨率:>3μm
接近式光刻机