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溶胶凝胶法制备透明∧ぞ骞信恩龙,李喜峰沤ɑ发报引言光学层的薄膜晶体管具有高光学透过率、高电子迁移摘要:采用溶胶凝胶法制备了非晶钢锌氧化物—薄膜,并作为薄膜晶体管挠性床阒票噶薬—⑵骷阅艿挠跋臁=峁砻鳎喝芙耗悍ㄖ票狪以透明氧化物半导体作为有源沟道率、—岸嗑Ч∧ぞ骞艿第卷第年文章编号:.。研究了∧ぶ蓄餍勘榷员∧∧ぞ臀退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为左右,并具有高透过率%薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和!骷匦杂跋煜灾黾覫坑欣谔高薄膜和器件的迁移率。当铟锌比为时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,~,开关比.。骸关键词:溶胶凝胶法;铟锌氧化物薄膜;薄膜晶体管;低温中图分类号:.文献标识码:簄:虾4笱滦拖允炯际跫坝τ眉山逃恐氐闶笛槭遥虾—,—琙—,.簂甧.:猤,甌猅甌瑂,%.甌琣一一琣收稿日期:——:修订日期:——基金项目:国家自然科学基金;上海市科学技术委员会项目手钅作者简介:信恩龙,男,黑龙江肇东人,主要从事氧化物薄膜晶体管的研究。,痜。:Ⅱ簊—;:.琒,;
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一∞嚣㈡∥一一/雕雉3该亍!!!=成哆踢于控制,能够满足新技术研发的需求。国验峁胩致大多数氧化物⒅票覆捎谜婵辗椒ǎ乇鹗谴胶凝胶法制备氧化物⒌墓丶黐。实替代产品引,尤其适用于需要高迁移率的有源控溅射技术,并获得了良好的电学性近,溶胶凝胶法也用于氧化物闹票竅溶胶凝胶法不需要高真空环境,工艺简单,化合物内邱勇课题组ǖ懒巳芤悍ㄖ票竄薄膜目前国内外报道的采用溶胶凝胶法制备的氧化物半导体有源层的温度均高于妫臀票傅腎器件存在关态电流高、开关比低以及性能不稳定等问题。高温制备限制了传统玻璃基板的使用。因此。降低制备温度成为溶对器件电学性能的影响,并在较低温度℃成功制备了铟锌氧化物薄膜晶体管.,制备的器件具有关态电流低、开关比高的优点。芙旱闹票福航跛犷瓵溶于乙二醇甲醚┘呕约劣邢薰中,采用磁力搅拌器室温搅拌,待硝酸铟完全溶解于乙二醇甲醚形成无色透明溶液后,再加入硝酸锌.,继续搅拌,最后也形成无色透明溶液,再逐滴加人一定量的单乙醇胺稳定剂┘呕约劣邢薰,水浴℃搅拌∧∧ず蚑器件制备:在清洗干净的玻璃上采用甩胶法旋涂芙海捌谧K傥如果要得到理想厚度的薄膜,提高转速可以降低器件采用底栅结构。先在A绝缘层,接着溅射腎并光刻定义出源漏电极,沟道的宽度和长度分别为斗W詈蟛捎眯糠ㄖ票窱薄膜,光刻出沟道下对器件退火处理∧∧さ木褰峁梗樟璧缱显微镜鄄霫薄膜的表面及横截面形貌。使用氲继宀问治鲆遣馐訲器件的输采用紫外一可见光分光光度计测量不同铟锌比:的∧さ耐腹剩糽所示为空气退火处理后的紫外一可见光透射光谱。从图扑憧芍!K票傅腎薄膜具有祝捎玫穆由浣俏。,没有发现明显的衍射峰,表明薄膜为非晶态结构。从图腟照片可以看出。溶胶法制备的∧さ谋砻嫫有机发光二极管显示的驱动。目前,引。最晶体管,迁移率为×。本文采用溶胶凝胶法制备了氲继逵性层,研究了不同铟锌含量的氧化物薄膜的特性及其芙旱呐渲椅率毙纬傻粕该鱅溶胶。痳奔湮缓笃谧K傥痬,时间为H缓螅℃温度下加热溶剂蒸发,由最初的溶胶变为凝胶。最后,放人加热炉