文档介绍：模电复****资料第一章半导体二极管(如硅Si、锗Ge)。、热敏和掺杂特性。。----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体能够改型为另外一种杂质半导体。*~,~。*PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。*单向导电性------正向导通,反向截止。*二极管伏安特性----同PN结。*~,~。*,。,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。*三种模型微变等效电路法稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。、类型及特点。,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。*输入特性曲线---同二极管。*输出特性曲线(饱和管压降,用UCES表示放大区---发射结正偏,集电结反偏。截止区---发射结反偏,集电结反偏。,输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。(简化)hie---输出端交流短路时的输入电阻,常用rbe表示;hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比,常用β表示;、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。、不失真、能传输。*概念---直流电流通的回路。*画法---电容视为开路。*作用---确定静态工作点*直流负载线---=ICRC+UCE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1)改变Rb:Q点将沿直流负载线上下移动。2)改变Rc:Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3):直流负载线平移,Q点发生移动。*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用---分析信号被放大的过程。*交流负载线---’’=UCEQ+ICQRL’的直线。(1)截止失真*产生原因---Q点设置过低*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。*消除方法---减小Rb,提高Q。(2)饱和失真*产生原因---Q点设置过高*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。*消除方法---增大Rb、减小Rc、。(1)Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2)范围*当(UCEQ-UCES)>(VCC’-UCEQ)时,受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。*当(UCEQ-UCES)<(VCC’-UCEQ)时,受饱和失真限制,UOPP=2UOMAX=2(UCEQ-UCES)。*当(UCEQ-UCES)=(VCC’-UCEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。(1)静态工作点的近似估算(2)Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区,应满足RB>βRc。放大电路的动态分析*放大倍数*输入电阻**电压放大倍数在Re两端并一电解电容Ce后输入电阻在Re两端并一电解电容Ce后**电压放大倍数*输入电阻**电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。*输入电阻高,输出电阻低。(JFET)(可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)转移特性曲线UP-----(MOSFET)分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。*N-EMOS的输出特性曲线*N-EMOS的转