文档介绍：模拟电子技术基础答案单靠“死”记还不行,还得“活”用,姑且称之为“先死后活”吧。让学生把一周看到或听到新鲜事记下来,摒弃那些假话套话空话,写出自己真情实感,篇幅可长可短,并要求运用积累成语、名言警句等,定期检查点评,选择优秀篇目在班里朗读或展出。这样,即巩固了所学材料,又锻炼了学生写作能力,同时还培养了学生观察能力、思维能力等等,达到“一石多鸟”效果。第三部分****题与解答要练说,得练看。看与说是统一,看不准就难以说得好。练看,就是训练幼儿观察能力,扩大幼儿认知范围,让幼儿在观察事物、观察生活、观察自然活动中,积累词汇、理解词义、发展语言。在运用观察法组织活动时,我着眼观察于观察对象选择,着力于观察过程指导,着重于幼儿观察能力与语言表达能力提高****题1与当今“教师”一称最接近“老师”概念,最早也要追溯至宋元时期。金代元好问《示侄孙伯安》诗云:“伯安入小学,颖悟非凡貌,属句有夙性,说字惊老师。”于是看,宋元时期小学教师被称为“老师”有案可稽。清代称主考官也为“老师”,而一般学堂里先生则称为“教师”或“教****可见,“教师”一说是比较晚事了。如今体会,“教师”含义比之“老师”一说,具有资历与学识程度上较低一些差别。辛亥革命后,教师与其他官员一样依法令任命,故又称“教师”为“教员”。客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子浓度主要取决于掺入杂质浓度,而少数载流子浓度则与温度有很大关系。2、当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。3、在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。、由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。(×)2、在N型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P型半导体。(√)3、扩散电流是由半导体杂质浓度引起,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。(×)4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。(×)5、PN结在无光照无外加电压时,结电流为零。(√)6、温度升高时,PN结反向饱与电流将减小。(×)7、PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。(×)、PN结伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论剖析,PN结伏安特性可用式表示。式中,ID为流过PN结电流;Is为PN结反向饱与电流,是一个与环境温度与材料等有关参数,单位与I单位一致;V为外加电压;VT=kT/q,为温度电压当量(其单位与V单位一致),其中玻尔兹曼常数,电子电量,则,在常温(T=300K)下,VT==26mV。当外加正向电压,即V为正值,且V比VT大几倍时,,于是,这时正向电流将随着正向电压增加按指数规律增大,,即V为负值,且|V|比VT大几倍时,,于是,这时PN结只流过很小反向饱与电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN结呈反向截止状态。PN结伏安特性也可用特性曲线表示,()(实线部分)可见:PN结真有单向导电性与非线性伏安特性。 2、什么是PN结反向击穿?PN结反向击穿有哪几种类型?各有何特点?答:“PN”结反向击穿特性:当加在“PN”结上反向偏压超过其设计击穿电压后,PN结发生击穿。PN结击穿主要有两类,齐纳击穿与雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高PN结,一般反向击穿电压小于4Eg/q(Eg—PN结量子阱禁带能量,用电子伏特衡量,Eg/q指PN结量子阱外加电压值,单位为伏特)PN击穿模式就是齐纳击穿,击穿机理就是强电场把共价键中电子拉出来参与导电,使少子浓度增加,反向电流上升。雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧杂质浓度较低“PN”结,一般反向击穿电压高于6Eg/q“PN”结击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子运动速度加快,动能增大,撞击中型原子时把外层电子撞击出来,继而产生连锁反应,导致少数载流子浓度升高,反向电流剧增。3、PN结电容是怎样形成?与普通电容相比有什么区别?PN结电容由势垒电容Cb与扩散电容Cd组成。势垒电容Cb是由空间电荷区引起。空间电荷区内有不能移动正负离子,各具有一定电量。当外加反向电压变大时,空间电荷区变宽,存储电荷量增加;当外加反向电压变小时,空间电荷区变窄,存储电荷量减小,这样就形成了电容效应。“垫垒电容”大小随外加电压改变而变化,是一种非线性电容,而普通电容为线性电容。在实际应用中,常用微变电容作为参数,变容二极管就是势垒电容随外加电压变化比较显著二极管。