文档介绍：“计算机电路基础(1)”学****辅导第二章半导体基本器件(一)。-安特性曲线。可以看出: iU(BR)(1)当外加正向电压较小(uI<UON)时,外电场不足以克服PN结内电场对多子扩散所造成的阻力,电流i几乎为0,PN结处于截止状态;(2)当外加正向电压uI大于UON时,正向电流i随u的增加按指数规律上升且i曲线很陡。(3)当外加反向电压(u<0)时,反向电流很小,几乎为0,用IR表示;(4)当u增大到U(BR)时,二极管发生电击穿,|u|稍有增加,|i|急剧增大,u»UBR。把PN结外加正向电压导通、,U(BR)称作反向击穿电压。(二)。把IB=0这条曲线以下部分称为截止区,此时,三极管各极电流iB»iC»0,对应三极管截止的条件是uBE<;在特性的中间部分,曲线是一族近似水平的直线,这个区域称为放大区,此时,Ic=bIB,对应三极管放大的条件是uBE³<0V;把输出特性靠近纵轴的上升部分,对应不同的IB值的各条曲线几乎重叠在一起的区域称为饱和区,此时,UCE£UCES,对应三极管饱和的条件是uBE³>0V。ic/mA100mA饱80mA和放区大60mA区40mA20mAIB=0uce/(1)共发射极电流放大系数b共发射极电流放大系数b表示管子做成后,其收集电流和基区复合电流之比,是一个常数。(2)集电极-发射极饱和电压UCES集电极-发射极饱和电压UCES指管子饱和时,集电极-发射极间的管压降,小功率管£。(3)集电极最大电流ICM集电极最大电流ICM指集电极允许流过的最大电流。(4)集电极最大功率损耗PCM集电极最大功率损耗PCM指集电极允许的最大功率。(5)集电极-发射极击穿电压UCEOICM、PCM、UCEO是极限值,使用管子时,不要超过极限值。(三):N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道耗尽型。。,故速度快P沟道增强型NP空穴UTP负负负易做,。iD/mAiD/mA可变电