文档介绍：西安电子科技大学
硕士学位论文
带隔离层和场板的4H-SiC MESFET结构优化与特性研究
姓名:余涔
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:贾护军
20100101
摘要器件中,总是面临着诸如电流不稳定、电流崩塌等性能和可靠性方面的使得沟道电流的开关速度跟不上栅极输入信号的变化,从而导致器件输出功率和中特有的栅延迟现象。对于这些问题,目前只论文首先在综述了牧系奶氐恪的国内外研究现状及其发展结构常温和高温基本直流工作特性中输出特性、转移特性等特性构。首先分析了此结构中沟道厚度和浓度对器件的影响。沟道厚度增大时,器件阈值电压、漏电流和击穿电压都会增加,但是过大的沟道厚度会导致短沟道效应;沟道浓度增加时,器件的阈值电压、漏电流会增加,但是击穿电压会相应减少;根据条件,当沟道浓度为时可以得到最大击穿电压。接下来研究了栅极结构参数,包括埋栅深度、栅极水平位置、栅极形状、栅场板结构以及栅长等对器件特性的影响。栅极水平位置会改变栅漏距离,但是不会改变器特性改变也很小;栅场板结构能够有效增加击穿电压,当栅场板长度取时可以得到击穿电压的最大值,但是会降低器件漏电流;栅长的增加会增加器件的关键词:.隔离层场板碳化硅牧嫌捎诰哂锌泶丁⒏吡俳缁鞔┑绯⒏呷鹊悸省⒏咴亓髯颖和漂移速度等特点,是做高温、高频、大功率器件的理想材料。然而,作为材料的一个固有属性,高本征表面态和界面态使得目前研制成功的⒉üβ问题,尤其是当器件工作在高频时,由于高密度界面态所需的大的充放电时间,增益的下降,这就是能从器件结构上寻求解决的途径。趋势的基础上,系统分析研究了器件的工作原理,。根据对传统的分析,确定了基本模型和研究方法。为了抑制甚至消除表面陷阱效应,同时改善器件功率特性,;栅极形状是正梯形和倒梯形时,阈值电压几乎不变,器件的其他击穿电压,但是会导致漏电流的下降。.
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厶兰主叁本人签名:金盗学位论文创新性声明日期丝媚ǎ西安电子科技大学日期垫なィ关于论文使用授权的说明生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保秉承学校严谨的学风和优良的科学道德,本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切的法律责任。本人签名:本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证,毕业后结合学位论文研究课题再攥写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。C艿论文在解密后遵守此规定导师签名:
材料特性\\第一章绪论牧咸氐在科技不断进步的二十一世纪,随着微电子技术的发展,传统的和及抗辐射等领域应用越来越显示出不足与局限性。在科技飞速发展的今天,越来同时又在高频大功率、抗辐照等多方面具有良好性能的半导体器件,对于这类特殊半导体器件的研发已成为当今半导体研究领域的新兴课题【长久以来,以其优良的物理特性、成熟的工艺、低廉的成本使其成为最重多的化合物半导体中,唤鼋鲇泻芨叩娜鹊悸省⒘俳缁鞔┑绯⒃亓髯颖ズ推移速度,而且易于生长用来掩蔽和绝缘的热氧化层。这就让人们能够利用一些现有的器件工艺制成高温、高频、大功率且抗辐射的骷半导体材氪车腟虶啾染哂忻飨缘挠旁叫浴从晶体结构来说,寰哂屑康墓布奂峁梗庵纸峁怪械拿扛鲈颖四个异种原子包围,反映其能量的稳定性,使其具有高的化学稳定性和高硬度。等半导体材料由于其自身结构和材料特性等原因,在高温、高频、光电、大功率越多的领域如航空、航天、石油勘探、核能、通讯等迫切需要那些能够承受高温,要的半导体材料,但器件在高温、高压、大功率及抗辐射等方面很难有大的突破。碳化硅亲约痰谝淮K匕氲继偷诙衔锇氲继宀牧,琁等蠓⒄蛊鹄吹牡谌斫氲继宀牧包括T谥表列举了几种常见半导体材料的基本参数4颖碇械亩员饶芄豢闯鲂滦第一章绪论表室温下几种半导体材料特性的比较禁带宽度击穿电场/热导率痗饱和速度/...
国内外研究现状和存在的问题等工艺,具有更好的优越性。同时,撬锌斫牧现校ㄒ灰恢挚梢灾苯在