文档介绍：醐牛日期盟旺陋日期到田卫西安电子科技大学学位论文独创性虼葱滦声明关于论文使用授权的说明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切相关责任。本人签名:本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。本人保证毕业离校后,发表论文或使用论文胙宦畚南喙工作成果时署名单位仍然为西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。C艿穆畚脑诮饷芎笞袷卮斯娑本学位论文属于保密,在年解密后适用本授权书。导师签名:
摘要器件几何尺寸∥×%和,。⑵锰跫‰和‰约跋葳搴嵯蛭恢由于纳米骷叽绾苄。渲械牡绯∏慷冉洗螅虼顺鱿至搜现氐牧孔力学效应和各种涨落效应。纳米骷械牡推翟肷敫髦终锹浠埔黄鹱饔茫如沟道随机掺杂涨落、栅氧化层厚度与沟道有效长度涨落机制,以及反型层量子化效应和栅多晶硅耗尽效应等,导致器件阈值电压和漏源电流出现大幅度的涨落。研究纳米骷推翟肷侍舛蕴岣咂骷柿坑肟煽啃跃哂薪羝鹊南质狄庖濉本文在已有低频研究结果的基础上,结合纳米骷械牧孔有в和各种涨落效应,通过理论建模、实验测量和噪声信号时频分析技术相结合的方法,重点研究了纳米骷穆┰吹缌鱎噪声、漏源电流背景痜噪声、栅电流痜噪声和肷南喙匚侍狻Mü疚牡难芯浚饕5玫揭韵陆峁岢隽俗酆峡悸窍葳宓绾杉捌渚迪竦绾勺饔玫腞噪声幅度解析模型。与现有的肷饶P拖啾冉希媚P湍芨既返啬夂铣≌ぱ趸鉏器件肷鹊氖笛椴饬拷峁岢隽丝捎糜谀D饽擅譓器件肷鹊母咝Ф馍P汀8模型建立在数值求解耦合的二维薛定谔方程和泊松方程所得到的沟道载流子浓度分布和电势分布的基础上,可模拟纳米骷腞噪声相对幅度Ⅳ琻随的变化关系。模拟结果与文献报道的复杂数值模拟结果一致性很好。攵猿砉档赖哪擅譓器件,提出了栅电流低频噪声的解析模型。该模型建立在栅极隧穿势垒高度涨落模型与洛仑兹调制散粒噪声模型的基础上,能够精确预测超薄栅氧化层纳米骷恼さ缌鞯推翟肷β势酌芏人嫫锰跫的变化关系。模拟结果与实验结果拟合较好。利用该模型和实验测量的栅电流低频噪声功率谱,提取了栅氧化层陷阱浓度的分布曲线,所得结果与ひ账起的氮原子密度分布完全一致。攵哉9档揽矶鹊哪擅譓器件,提出了基于肖特基效应的栅电流噪声幅度模型。该模型能很好地拟合栅电流肷人嬲ぱ贡浠氖笛榻峁利用栅电流肷缺嚷┰吹缌鱎噪声幅度大的特点,首次在室温下通过测量栅电流肷碚髁丝饴匚拖葳宓纳疃取⒃诠档乐械暮嵯蛭恢煤湍级等信息。肗方法检测了纳米骷┰吹缌鞯推翟肷藕胖惺欠窈蟹高斯的煞帧Mü肷鵑图可提取肷燃笆背J齮与湎对大小的信息。
ü懒⒀芯看勘尘/肷煞郑⑾直尘/肷隦噪声及其叠加产生的类痜噪声有着不同的起源。,证明这种噪声起源于反型层载流子输运过程中经历的各种散射所引起的迁移率涨落效应,可用P兔枋觥6肷捌涞硬睦/肷蚱鹪从谡ぱ趸阆葳宓姆裼敕⑸渥饔茫用脑亓髯邮锹淠P屠疵枋觥尽管本文的研究取得了一定的成果,对纳米器件的低频噪声的研究仍然需要继续深入下去,有许多问题有待解决。关键词:噪声纳米骷痜噪声纳米骷推翟肷丶侍庋芯
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⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.栅极漏电流效应⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯械牡缱铀泶械目昭ㄋ泶不同区域的隧穿电流⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..嗑Ч枵さ缂ê透遦栅介质对栅极隧穿的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.沟道载流子量子化效应⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯栅电容减小效应⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯阈值电压漂移效应⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⒔帷~生.¨~一¨●鯥●■.
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