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铁电薄膜存储器存储特性测试仪的研制.pdf

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铁电薄膜存储器存储特性测试仪的研制.pdf

文档介绍

文档介绍:华中师范大学
硕士学位论文
铁电薄膜存储器存储特性测试仪的研制
姓名:郝梅
申请学位级别:硕士
专业:电路与系统
指导教师:黄新堂
19990401
鼙冢琁£竺兰兰竺美兰塑坚塑内容提要铁电薄膜存储器具有开关速度陕,工作电雎低,存储密度高,痭—铁电薄膜进行陛能测试,发现其具有记忆特性和非挥发性。这些实验结果证明了,我们设计的铁电薄膜存储器存储胜能工作温度范围大,耐辐射和非挥发眭等优点。因此对铁电薄膜存直接测试铁电薄膜双向极化后剩余极化的差别,是其它懿馐我们研究设计了铁荷吣ご娲⑵鞔娲⑻匦圆馐砸牵糜谔薄膜的主要性能指标的检测。实际应用表明,该仪器能够对铁电测试仪对铁电薄膜存储器的研究是具有实际意义的工具。储器目7⒑脱芯恳鹆耸澜绶段У墓刈ⅰ铁电薄膜具有记忆特性是因为铁电体具有电滞回线,因此,不能替代的。薄膜存储器进行各种“读/写”操作。利用它对/疨关键词:铁电薄膜;铁电薄膜存储器:测试,
Ⅱ/。储器存储特佳测试仪的研琹琱哆瑂甋Ⅳ.,..
Ⅲ铁电薄膜存储器存储特性娟砸堑难锌竣’,
铁电薄膜存储器存储特性测试仪图片背面正面铁电薄膜存储器存储特性涠日试仪的研靠
铁电薄膜存储器存储特性测试仪的研制第一章绪论双稳态器件成为可能,因此开发有永久存储能力的非挥发』生铁电实现了薄膜集成化,使利用铁电钙钛矿结构氧化物生产研制二元本征的非挥发和抗辐照性能,易达到高集成度鏻重量、体积、能耗和速度等方面都能发挥其综合优势。这种既§引言白第二次世界大战期间发现岳矗嗣侵铝τ诶用化学稳定、性能可靠的铁电钙钛矿结构氧化物研制二元双稳态器件。甏绫∧ぶ票讣际跞〉昧顺ぷ愕慕埂,已经湾膜存储器鹆耸澜绶段У墓刈ⅰ范围〈钟玫钠渌髦植煌嘈偷氖执娲⑵鳎诩鄹瘛有只读存储器姆欠⒒有裕钟兴婊娲⑵的功能的已于日本研制成功,在烫电路国际会议上也有公司宣布开发出了成功的具有腇瑚铁电薄膜存储器存储特性谊Ⅱ试仪的研%Ⅱ灰籉。
铁电利料是指本身具有自发极化、且其自发极化的取向能随电开关杼⒀沟缧вΑ⑷仁偷缧вΑ⒌绻庑вΑ⑸庑вΑ⒐、且其厚度在数十纳米到数微米的薄膜材料,叫做铁电薄膜。铁电薄膜具有一系列重要的性质,如铁发展,并已成为当前国际上高科技、新技术研究中活跃的研究领§铁电薄膜~’定强度的外加电场的改变而改变的材料。铁电材料的重要特征是其电极化与外加电场之间呈类似于铁磁材料的磁滞回线那样的折变效应、非线性光学效应等。我们可以单独利用上述诸效应制作不同的功能器件,也可以综合利用两个或两个以上的效应,通过不同效应之间的交义耦合,制作多功能器件,还可以通过铁电材料与其它材料之间的集成或复合,制作灵巧器件或集成器件。山于薄膜制备技术的发展,铁电薄膜材料的研究正向实用化方向域之一。§铁电薄膜存储器铁电薄膜存储器的研究是铁电学关注的焦点,也是铁电薄膜研究的主要动力之一“L缣寰哂械缰突叵撸吹绯≈录ɑ转特性,当电场为保嬖谧帕礁龅韧募ɑ忍鸵铁电薄膜存储存‘睹特性询砸堑难
ひ兆魅魏胃谋洌嗉匆子谟氚氲继骞ひ占伞>菰げ猓两个稳态不需要外加电场维持。因此,通过铁电薄膜与现有的挥发性等优点。在制作工艺上,铁电薄膜、电极层和钝化层可在§目前铁电薄膜存储器的研究概况及研究铁电薄膜存美、日、欧在铁电集成高技术方面的竞争已成为当今高科技领域的焦点。南韩在第八届铁电材料国际会议窃一算机存储中可分别称为“被颉”,而且这煽芍频梅腔臃⑿运婊嫒〈娲⑵鳌8么娲⑵骶哂锌9厮度快、工作电压低、存储密度高、工作温度范围大、耐辐射和非不同的设备上沉积,因此可避免对现在的在线騁将逐步取代静态、动态和电可擦可编程只读存储器取。储器的意义显示了强大的阵容,加拿大和法国也已有发展铁电集成高新技术的一整套计划。月,美国战略防御署签署了约蛎涝Q芯烤眩糜诘兔芏和较高密度辽纹骷难芯亢涂7⑾钅俊。目前国内外有数十所大学和公司的科技工作者相继开展铁电薄膜理论、实的猂铁电薄膜存储器存储特性滑Ⅱ试仪的研制
读写速度快;狗洌成本低并可以和硅集成:由于铁电薄膜存储器比磁芯存储器具有更多的优越胜;而且随着验及开发应用方面的研究工作。女大学、有可能通过铁电薄膜存储器实现。铁电薄膜存储器具有高速存取笱А公司、尽公司、四川大学、上海硅酸盐研究所、中国科学院而,铁电薄膜及其集成器件的开发已列入国家哂蟹瞧苹敌远脸瞿芰ΑU饧傅阋G缶设计简单,抗辐射能力强,非挥发性等特点,综合了半导体存储大学、笱А大学、实验室、大学、大学、物理研究所、中国科学院上海冶金研究所、南京大学、山东大学、华中理工大学、西安交通大学、北京航空航天大学、复旦大学等。我国在铁电集成方面的研究起步较晚,较国外有一定的差距,然对于所有的计算机系统,尤其对于军事计算机系统,非挥发性存储器都是很关键的。前对新型非挥发存储器的要求是强度好