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o本人签名:童瑟[z2关于使用授权的声明本人签名:亟邃创新性声明本人声明所呈交的论文是我个人在导师的指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果:也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切相关责任。本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。本人保证毕业离校后,发表论文或使用论文工作成果时署名单位仍然为西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部()导师签名:日期:’
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是减薄的栅氧化层带来了急剧增加的栅极漏电流姆。尺寸已经降到衄以下,器件的沟道电容、工作电压、漏极电流和物理尺度不断摘要SicductIFieldEct豬的特征缩小,器件性能不断得到提升一更高的工作速度、更低的功耗、更小的体积。为了保持以往较高的电流驱动能力和实现更小的延迟,必须减薄栅氧化层的厚度。但MOS(hir)Si02多数高牧喜⒉荒芎芎玫赜牍璩牡缀投嗑Ч杓嫒荨8遰材料本身的物理特性MOSKKMOS(capacitace-voltage缸∞、边缘电场效应。r隧穿,泶鹊缱臃⑸涞嚷┑,高さ穆┑缁魄鹩诖砈さ穆┑缁疲诟逰栅介质中甆隧穿和热电子发射占主导地位。KrMOSMOS容电压特性的影响。陷阱的俘获载流子和释放载载流子过程会增加电容量,另一MOS高さ挠τ迷黾恿苏ぱ趸愕奈锢砗穸龋纱瞬谋咴档绯⌒вλ孀舝值的增大而显著。本文从电子学的角度对边缘电场效应进行原理分析,利用ISETCADVthSVthrMOS(Metal的影响是二维的。Oxide
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高そ橹蔒器件电学特性的研究
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