文档介绍：N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)工艺流程:半导体元件制造过程可分为前段(FrontEnd)制造过程:晶圆处理制程(WaferFabrication;简称WaferFab)2•晶圆针测制程(WaferProbe);后段(BackEnd):1•构装(Packaging)、测试制程(InitialTestandFinalTest)而本次课程设计主要重点在于前段晶圆的处理制作过程,故N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)工艺流程,概括的说就是先场氧,后栅氧,再淀多晶si,最后有源区注入。:一般采用轻参杂的p型Si衬底,晶向<100>,p=30~。晶圆(晶片)的生产由砂即(二冶炼级的硅,再经由盐酸氧化硅)开始,经由电弧炉的提炼还原成***化,产生三***化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分解过程,制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂,将多晶硅融解 后,再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长,,约需2天半时间长成。经研磨、抛光、切片后,:SiO2作用::实际生产一干氧-湿氧-干氧工艺。好处:既保证了SiO2的质量,又提高了氧化速度。,Si3N4厚度1400A。目的:选择性氧化的掩蔽膜。LPCVDSi3N4薄膜工艺:①反应剂:SiH2Cl2+NH3—Si3N4+H2+HCI②温度:700-900C;③速率:与总压力(或PSH2Cl2)成正比;④特点:密度高;不易被稀HF腐蚀;化学配比好;保形覆盖; ⑤缺点:应力大;,刻掉场区的Si3N4,不去胶,阻挡离子注入。1•涂光刻胶:PhotoresistCoating 2•掩膜版Pud3•光刻:P-hpcsubsumeP-hp«:P-iypesubitrjk5•去掉光刻胶:,以提高场开启优点:工艺简单问题:隔离区较宽,使IC的有效面积减少,不利于提高集成度隔离扩散引入了大的集电区-衬底和集电区-基区电容,不利于IC速度的提高Siliconnitride|p',8500A氧化层是热生长形成的,此时硼将继续推进,Si3N4阻挡氧化由于Si:SiO2=:1(体积比),这种做法可以降低台阶高度,称为准等平面工艺优点:;。缺点:1、鸟嘴侵蚀有源区;2、不利于后序工艺中的平坦化;3、杂质重新分布。:用标准的光刻腐蚀液Si3N4:,为离子注入作准备。P^typesubstnite卩-l、pes-(注硼)l^hiF^phurujsliiiuhi目的:改变有源区表面的掺杂浓度,,必须生长高质量的氧化层十^,Poly-Si,3800A。扩磷,使多晶硅成为n+型(n+-Poly-Si),不去胶PoKsihijijnP-hpcbubninkP-LyptMb^***(As),热退火选择As作源漏区,是因为同一温度下,As的扩散系数比磷小,N-wdlPtypisubMmlid横向扩散距离小。到这一步,MOSFET已经形成,,低温淀积SiO2P-type$-fypeSuUi5!TaH