CMOS工艺流程.ppt

文档介绍：工艺集成
集成电路中的隔离
MOS集成电路中的隔离
增加场区二氧化硅的厚度(局部场氧化)
侧墙掩膜隔离
双极集成电路中的隔离
结隔离
MOS集成电路中的隔离
MOSFET本身自隔离
产生寄生场效应晶体管
抑制方法——防止开启
提高寄生场效应晶体管的阈值电压
增加场区二氧化硅的厚度(局部场氧化)
增大氧化层下沟道的掺杂浓度,即形成沟道阻挡层
增加场区二氧化硅的厚度
双极集成电路隔离
µm的CMOS集成电路硅工艺的主要步骤。这有助于对半导体制造有一个更好的了解。
CMOS制作步骤
CMOS反相器由两个晶体管构成,一个nCMOS和一个pCMOS。