现代CMOS工艺基本流程.ppt

文档介绍：现代CMOS工艺
基本流程
选择衬底
Silicon epi lay
晶圆的选择
掺杂类型(N或P)
一电阻率(掺杂浓度)
晶向
高掺杂(P+)的Si晶
圆
低掺杂(P)的Si外
延层
Silicon substrate
热氧化
热氧化
形成一个SO2薄层,厚度约20nm
高温,H2O或O2气氛
缓解后续步骤形成的Si小N4对Si衬底造成的应
力
Silicon Epi Layer P
Silicon Substrate p+
SN4淀积
SN4淀积
厚度约250nm
化学气相淀积(CVD)
作为后续CMP的停止层
Silicon Substrate p+
光刻胶成形
光刻胶成形
~10um
光刻胶涂敷、曝光和显影
用于隔离浅槽的定义
Photoresist
Silicon Epi Layer P
Silicon Substrate p+
SiN4和SO2刻蚀
SN4和SO2刻蚀
基于***的反应离子刻蚀(R|E)
Photoresist
Silicon Nitride
Silicon Epi Layer P
Silicon Substrate p+
隔离浅槽刻蚀
隔离浅槽刻蚀
基于***的反应离子刻蚀(R|E
定义晶体管有源区
Isolation Trench
Photoresist
Transistor Active areas
Silicon Epi Layer P
Silicon Substrate p+
除去光刻胶
除去光刻胶
氧等离子体去胶,把光刻胶成分氧化为气体
Isolation Trench
Transistor Active areas
Silicon Epi Layer P
Silicon Substrate p+
8
SIO2淀积
SIO2淀积
用氧化物填充隔离浅槽
~,和浅槽深度和几何形
状有关
化学气相淀积(CVD)w
through here
Future PMOS Transistor
Future Nmos transistor
Silicon Epi Layer P
Silicon Substrate p+
化学机械抛光
化学机械抛光(CMP
CMP除去表面的氧化层
到S3N4层为止
No current can flow
through here
Future PMOS Transistor
Future Nmos transistor
Silicon Epi Layer P
Silicon Substrate p+