文档介绍：苏州大学
硕士学位论文
p型金属诱导横向结晶多晶硅TFT直流应力下的退化研究
姓名:胡春凤
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:王明湘
20090501
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徒鹗粲盏己嵯蚪峋Ф嗑Ч鑄直流应力下的退化研究中文摘要中又捅要漏端加固定应力电压蚴的情况下,观察到了电子注入效应;在高应力一屹和低应力本文主要研究了徒鹗粲盏己嵯蚪峋嗑Ч璞∧ぞ骞蚩在各种直流应力下的退化行为和机制。首先源、漏端接地,栅加固定的应力电压灰下,观察到了典型的负偏置温度不稳定性вΓ辉谠炊恕⒄ざ私拥兀一圪下,观察到了和电子注入的混合效应,而在高应力一%和适当的一鹿鄄到了和效应的混合效应,在上述高应力一虼的条件下均没有观察到典型的вΑ>笛檠橹ぃ谡庑┩嘶校琋侵鞯嫉耐嘶制。晶粒间界缺陷态的产生和退化具有相同的时间幂指数砻髁嗽诙嗑Ч琛啥5耐嘶芯Ы缛毕萏牟鹱殴丶饔谩同一研究小组已研究了氢化对蚆嗑Ч桉艨稍谥绷鱄αο伦R铺性的影响,在此基础上,,但输出特性变差。在自加热应力后,氢化器件由于其应力后产生了更多的沟道缺陷态,而导致其转移和输出特性都变差。此外,研究了应力下输出特性的异常负阻效应,目前机制尚未澄清。关键词:电子注入,热载流子,,多晶硅’饣约尤作者:胡春风热载流子指导教师:王明湘蚆嗑Ч鑄直流应力下的退化研究
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研究生签名:橱枷日期:型:型苏州大学学位论文独创性声明及使用授权的声明学位论文独创性声明行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不含学位论文使用授权声明一本人郑重声明:所提交的学位论文是本人在导师的指导下,独立进其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果,也不含为获得苏州大学或其它教育机构的学位证书而使用过的材料。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明:.本人承担本声明的法律人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。除在保密期内的保密论文外,允许论文被查阅和借阅,可以公布ǹ论文的全部或部分内容。论文的公布ǹ授权苏州大学学位办办理。期:责任。苏州大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆、清华大学论文合作部、中国社科院文献信息情报中心有权保留本人所送交学位论文的复印件和电子文档,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。本
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第一章绪论金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管暨技术简介在显示技术领域,以液晶显示为代表的平板显示技术迅速崛起,涵盖了从手机到大尺寸电视在内的各种显示应用领域。为了适应有源矩阵液晶显示器件珹男枰#人们研究了很多种类的开关元件阵列,目前比较重要的有非晶硅嫡罅泻投嗑Ч耵可阵列。与非晶硅啾龋嗑Ч鑄具有更高的迁移率ǔ8叱隽礁鍪考和驱动电流,因此采用多晶硅可不仅能制造出高清晰、高分辩的夷芄唤外围电路和像素电路集成在一起,进而能够基于艺实现将处理器,存储器,驱动电路及像素电路整合于一体的平板系统。随着诘缏分械挠τ迷嚼丛蕉啵臀多晶硅目煽啃砸惨鹑嗣堑墓刈ⅰ3吻逡鹌骷嘶闹饕;疲既吩げ馄件的使用寿命,已经成为目前针对低温多晶硅煽煽啃苑治龅囊桓鲋饕Q芯糠较颉目前对于低温多晶硅可靠性的研究工作主要集中在日本、韩国、台湾等地区,而大陆地区对于这方面的研究工作尚不多见。多晶硅工艺技术如何获得好的低温多晶硅薄膜是成功制备多晶硅傻墓丶6嗑Ч璞∧さ闹票可以通过多种方法实现,而其晶化机理也因制备方法的不同而各异。就如何获得低温多晶硅薄膜而言,目前国际上制备低温多晶硅薄膜大都是采用特定的方法使非晶硅薄膜结晶来制各的,这些方法包括:快速热退火琑⒆挤子激光退火法和金属诱导横向晶化法取F渲杏眉光结晶的多晶硅丫玫焦惴旱难芯浚钚路⒄蛊鹄吹腗际跻惨鹆嗽来越多人的关注【ǎ蛭K梢缘玫礁咝阅芎透呔刃缘亩嗑Ч璞∧ざ铱梢约跎制造成本,是极具竞争力的低温多晶硅技术。騝工艺利用金属诱导薄膜在。娴慕系臀露认率迪趾嵯蚬滔嘟峋В珽⒐滔嗑Щ蚆嗑Ч鑄≈绷饔αο碌耐嘶芯.
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效应迁移率∥汗惆阍糳趌。在多晶硅晒ひ樟鞒讨校绰┣粼横向结晶的多晶硅薄膜的表面平滑,具有长晶粒和连续晶界的特征,晶界势垒高度低于嗑Ч璧木Ы缡评莞叨取桥抗ひ眨统杀荆耆ḿ嫒荽车陌氲继薄膜工艺,结晶膜均匀性好,非常适合于大面积应用。多晶硅可的载流子场可在薄膜晶化前,杂质活化可以在沟道区结晶过程中一次性完成。自从年韩国研究小组首次报道了驝工艺的低温多晶硅梢岳础】,该项低温多晶硅技术越来越受到重视,并得到了长足发展,现己成为低温多晶硅的主流工艺技术之一,已成功应用又分为金属诱导双向结晶术将所有的横向晶界从沟道中去除掉。与双向晶化的’O啾