文档介绍：杂质分析
3. . 5. 5. 1制剂中的有关物质
杂质的化学名称、结构式、来源、控制限度见表3. 2. P. 5. 5. 1. 1
打
O
x^rCOOH
HjC-N^N
左氧氛沙星
表3. 2. P. 5. 5. 1. 1杂质分析情况
杂质名称
杂质结构
杂质来源
杂质控制限度
是否定入质量标准
左氧氟沙
:xx5
厂 COOH
合成工艺杂质
不得过
0. 3%
定入原料质量标准
星杂质A
杂质A
不得过
0. 3%
定入制剂质量标准
左氧氟沙星杂质B
杂质B
降解产物（去竣基）
无控制限度
未定入质量标准
左氧氟沙星杂质C
H、
0
八/C、xCOOH
杂质c
降解产物（去氟）
无控制限度
未定入质量标准
左氧氟沙星杂质D
r~\
HjC-N^N
O o/cH, 杂质D
合成工艺杂质
无控制限度
未定入质量标准
左氧氟沙
riy
降解产物（去甲
不得过
0. 2%
定入原料质量标准
星杂质E
H-N、卢
T ?
杂质E
基）
不得过
0. 3%
定入制剂质量标准
夕、/yCooh
左氧氟沙星杂质F
0
w
OxxxZ^ch3 杂质F
降解产物（氮氧化）
无控制限度
未定入质量标准
氧氟沙星
h3c-i/"、
0
w
合成工乙杂质
不得过
%
定入原料质量标准
氧氟沙星
无控制限度
未定入制剂质量标准
3. 2. P. 5. 5. 2制剂特有的有关物质特征
左氧氟沙星杂质A、B、C、D、E、F以及氧氟沙星共7个已知杂质，依次分别为去哌嗪环、去竣基、去氟、氟取代位置不同、去甲基以及氮氧化的化合物。其中氧氟沙星杂质A、D为合成工艺产生的杂质，英国药典氧氟沙星原料药采用 TLC法控制杂质A,采用HPLC法控制其他已知和未知杂质。中国药典采用杂质A 对照，定量控制原料和制剂中的杂质A,杂质控制限度：%。
氧氟沙星为左旋异构体与右旋异构体组成的消旋混合物，左氧氟沙星为氧氟沙星的左旋异构体，在其合成过程中必然会产生光学异构体副产物。氧氟沙星的右旋异构体几乎无抑菌作用，且毒性大于左旋异构体，因此多数左氧氟沙星质量标准中均对光学杂质进行了严格控制，左氧氟沙星光学杂质检测采用HPLC法, 使用硫酸铜• ，十八烷基硅烷键合硅胶为固定相，中国药典2010年版盐酸左氧氟沙星原料光学杂质的含量控制在1. 0%以内。
美国药典重点关注了杂质desfluoroofloxacin,日本药局方重点关注了 ofloxacin demethyl substance,均与中国药典的杂质E相同，是氧氟沙星的去甲基化合物，该化合物为氧氟沙星的主要降解产物，光照下极易产生。
美国药典对照品目录中收载了左氧氟沙星的两个已知杂质左氧氟沙星相关物质A和左氧氟沙星相关物质B的结构，分别为中国药典2010年版盐酸左氧氟沙星中杂质E、Ao
3. 2. P. 5. 5. 3制剂特有的有关物质的分析
有关物质专属性（空白辅料破坏性试验）结果发现：空白辅料在酸（0. lmol /L盐酸）、碱（0. lmol / L NaOH）、高溫、3%的HQ、光照等条件下均不产生杂质。（结果见表3. . 5. ）（相关图谱见《图谱集》第1页〜第14页）
有关物质专属性（样品破坏性试验）结果发现：样品在酸（0. lmol / L盐酸）、碱（0. lmol / L NaOH）、高溫、3%的H心等条件下均未产生超过0. 1%的单一杂质。光照条件下可产生两个明显的降解产物峰保留时间分别为：23. 025 （0. 78%）、25. 114 （0. 20%）,保留时间25. 114的峰与杂质E对照的保留时间一致，保留时间23. 025的峰根据文件报道以及从结构来推测在色谱上的流出顺序应为杂质F,将进一步监控生产和留样过程中这两个杂质情况。（结果见表 3. 2. P. 5. 3. 1. 4）（相关图谱见《图谱集》第1页〜第14页）
稳定性影响因素试验、稳定性加速试验（6个月）、稳定性长期试验（6 个月）数据表明：在已放置的时间内，%的单一杂质，表明本产品经压片、包衣后对盐酸左氧氟沙星的稳定性有明显的改善。
质量标准制定依据
本品为仿制药，质量标准参照按中国药典2010版二部盐酸左氧氟沙星片标准制定，质量标准中对有关物质检查项作了修改，其余与中国药典2010版二部盐