文档介绍：碳化硅一氧化铝多孔陶瓷的制备研究
摘要：本文以氧化铝粉（44 um）为主要原料，碳化硅粉（ u m）作添加剂，磷酸二氢铝作为粘接剂。在300MPa的压力下将粉料模压成多孔陶瓷胚体，试样中碳化硅的添加量分别为5%、10%、15%,粘流管的注满蒸馅水的容器中，称量饱和试样在水中的重量，记为G3, go从中取出饱和试样，用饱含水的多层纱布，将试样表面过剩水分轻轻擦掉(注意不应吸出试样孔隙中的水)，迅速称量饱和试样在空气中的重量，记为G2,精确至 0. 01 go
用排水法测定多孔陶瓷的气孔率计算公式如下：
孔隙率：q=BX100%
式中：q为条状试样的显气孔率(%); G1为条状试样的干燥重量(g);
G2为条状饱和试样在空气中的重量(g)； G3为条状饱和试样在水中的重量(g)。
试样线收缩率测定。在烧结前，使用电子游标卡尺每组试样进行长度测量。试样烧结后在，每个温度点下，依次对每组试样中的5条测量，记录数据，计算其平均长度。线收缩率公式：
收缩率：L=BX100%
式中：L1为烘后长度；L2为烧后长度。
抗折强度的测定。本实验采用电子微控万能试验机进行三点弯曲法抗折强度的测定。弯曲强度试样尺寸为60X6. 5X5. 5 mm, ?样的受压横截面平行于十字头移动方向，跨距30 mm, rnm/min,每个均值数据为两颗(分别测试两端)试样的加权平均值。抗折
强度的计算公式如下:
o f=BX100%
式中：P为载荷（N）； 1为跨距（mm）； b为试样宽度（mm）； h为试样高度（mm）。

3结果与分析
1氧化铝多孔陶瓷烧结机制
胚体经过成形及干燥过程后，颗粒间只有很小的附着力，因而强度相当低、要使颗粒间相互结合以获得较高的强度和硬度，通常是使胚体经过一定的高温烧成。在烧成过程中往往包含多种物理化学过程，如脱水、热分解和相变，熔融和溶解，固相反应以及析出晶体，晶体长大和剩余玻璃相的凝固过程［7］。
烧结是陶瓷制备中重要的一环，伴随烧结发生的主要变化是颗粒间接触界面扩大并逐渐形成晶界；气孔从连通逐渐变成孤立状态并缩小，最后大部分甚至全部从胚体中排除，使成形体的致密度和强度增加，成为具有一定性能和几何外形的整体［8］。烧结可以发生在单纯的固体之间，也可以在液相参与下进行。前者称为固相烧结，后者称为液相烧结。无疑，在烧结过程中可能包含有某些化学反应的作用，但烧结并不依赖化学反应的发生。它可以在不发生任何化学反应的条件下，简单的将固体粉料进行加热转变成坚实的致密烧结体，如各种氧化物陶瓷和粉末冶金制品的烧结就是如此，这是烧结区别于固相反应的一个重要方面。
烧结过程可以用图1来说明。图中第一阶段表示烧结成形体中颗粒的堆积情况。这时，颗粒有的彼此以点接触，有的则相互分开，保留较多的空隙。紧接着随烧结温度的提高和时间的延长，开始产生颗粒间的键合和
重排过程。这时颗粒因重排而相互靠拢，第一阶段的大空隙逐渐扩大为面接触，颗粒间界面面积增大，固一气表面积相应减小，但仍有部分空隙是连通的。第三阶段过程表明，随着传质的继续，颗粒界面进一步发育长大, 气孔则逐渐缩小和变形，最终，转变成孤立的闭气孔。与此同时，颗粒粒界开始移动，