文档介绍：Nand Flash存储结构及控制方法(K9F1G08)  
2011-02-26 15:05:59|  分类: 默认分类|  标签:mini2440  nandflash  k9f1g08   |字号 订阅
一、NAND Flash介绍和NAND Flash控制器的使用
NAND Flash在嵌入式系统中的作用,相当于PC上的硬盘
常见的Flash有NOR Flash和NAND Flash,NOR Flash上进行读取的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,容量一般比较小;NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高,并且容量更大。一般NOR Flash用于存储程序,NAND Flash用于存储数据。
1)NAND Flash的物理结构
笔者用的开发板上NAND Flash型号是K9F1G08,大小为128M,下图为它的封装和外部引脚
I/O0-I/O7        数据输入/输出
CLE        命令锁存使能
ALE        地址锁存使能
CE        芯片使能
RE        读使能
WE        写使能
WP        写保护
R/B        就绪/忙输出信号
Vcc        电源
Vss        地
        不接
 
K9F1G08功能结构图如下
 
K9F1G08内部结构有下面一些功能部件
①X-Buffers Latches & Decoders:用于行地址
②Y-Buffers Latches & Decoders:用于列地址
③Command Register:用于命令字
④Control Logic & High Voltage Generator:控制逻辑及产生Flash所需高压
⑤Nand Flash Array:存储部件
⑥Data Register & S/A:数据寄存器,读、写页时,数据存放此寄存器
⑦Y-Gating
⑧I/O Buffers & Latches
⑨Global Buffers
⑩Output Driver
NAND Flash 存储单元组织结构图如下:
K9F1G08容量为1056Mbit,分为65536行(页)、2112列,每一页大小为2kb,外加64字节的额外空间,这64字节的额外空间的列地址为2048-2111
命令、地址、数据都通过IO0-IO7输入/输出,写入命令、地址或数据时,需要将WE、CE信号同时拉低,数据在WE信号的上升沿被NAND FLash锁存;命令锁存信号CLE、地址锁存信号ALE用来分辨、锁存命令或地址。
K9F1G08有128MB的存储空间,需要27位地址,以字节为单位访问Flash时,需要4个地址序列
 
2)NAND Flash访问方法
NAND Flash硬件连接如下图:
 NAND Flash和S3C2440的连线包括,8个IO引脚,5个使能信号(nWE、ALE、CLE、nCE、nRE)、1个状态引脚(R/B)、1个写保护引脚(nWP)。地址、数据和命令都是在这些使能信号的配合下,通过8个IO引脚传输。写地址、数据、命令时,nCE、nWE信号必须为低电平,它们在 nWE信号的上升沿被锁存。命令锁存使能信号CLE和地址锁存