文档介绍：半导体基础知识
自测题
一、(1)√(2)× (3)√(4)× (5)√(6)×
二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、UO1≈ UO2=0 UO3≈- UO4≈2V UO5≈ UO6≈-2V
四、UO1=6V UO2=5V
五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
六、1、
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=,所以
七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。<br****题
(1)A C (2)A (3)C (4)A
。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,。
ui和uo的波形如图所示。
ui和uo的波形如图所示。
uo的波形如图所示。
ID=(V-UD)/R=,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。
(1)、、。
(2)。
IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=~。
(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故
当UI=15V时,由于上述同样的原因,UO=5V。
当UI=35V时,UO=UZ=5V。
(2)29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
(1)S闭合。
(2)
波形如图所示。
60℃时ICBO≈32μA。
选用β=100、ICBO=10μA的管子,其温度稳定性好。
晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表
管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
当VBB=0时,T截止,uO=12V。
当VBB=1V时,T处于放大状态。因为
当VBB=3V时,T处于饱和状态。因为
取UCES=UBE,若管子饱和,则
当uI=0时,晶体管截止,稳压管击穿,uO=-UZ=-5V。
当uI=-5V时,晶体管饱和,uO=。因为
(a)可能(b)可能(c)不能(d)不能,T会损坏。(e)可能
根据方程
逐点求出确定的uGS下的iD,可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中,将各条曲线上uGD=UGS(off)的点连接起来,便为予夹断线。
过uDS为某一确定值(如15V)作垂线,读出它与各条输出特性的交点的iD值;建立iD=f(uGS)坐标系,根据前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。
uI=4V时T夹断,uI=8V时T工作在恒流区,uI=12V时T工作在可变电阻区。
(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能
第二章基本放大电路
自测题
一、(1)× (2)√(3)× (4)× (5)√(6)× (7)×
二、(a)不能。因为输入信号被VBB短路。(b)可能
(c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。
(d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
(e)不能。因为输入信号被C2短路。
(f)不能。短路,恒为零。
(g)可能。(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。
(i)不能。因为T截止。
三、(1)
(2)
四、(1)A (2)C (3)B (4)B
五、(1)C,D E (2)B (3)A C D (4)A B D E (5)C (6)B C E,A D
六、<br****题
e b c 大大中大
c b c 小大大小
b e c 大小小大
(a)将-VCC改为+VCC 。(b)在+VCC 与基极之间加Rb。
(c)将VBB反接,且加输入耦合电容。
(d)在VBB支路加Rb,在-VCC与集电极之间加Rc。
图P2.