文档介绍：. 第一章半导体基础知识自测题一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)× 二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC 三、 U O1≈ U O2=0U O3≈- U O4≈ 2V U O5≈ U O6≈- 2V 四、 U O1= 6V U O2= 5V 五、根据 P CM= 200mW 可得: U CE= 40V 时I C= 5mA ,U CE= 30V 时I C≈ ,U CE = 20V 时I C= 10mA ,U CE= 10V 时I C= 20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。六、 1、V2V mA μA26 CC CE BC b BE BB B????????RIU II R UI? U O=U CE= 2V 。 2 、临界饱和时 U CES =U BE= ,所以????????? V mA 86 .2 V B BE BB b CB c CI UR II R UI?七、 T 1 :恒流区; T 2 :夹断区; T 3 :可变电阻区****题 (1)AC(2)A(3)C(4)A 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系, 当端电压为 时管子会因电流过大而烧坏。 u i和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 10 10 . u i和u o 的波形如图所示。 u o 的波形如图所示。 I D =( V-U D)/R= ,r D≈U T/I D= 10Ω,I d=U i/r D≈ 1mA 。 (1 )两只稳压管串联时可得 、 、 和 14V 等四种稳压值。(2 )两只稳压管并联时可得 和 6V 等两种稳压值。 I ZM=P ZM/U Z= 25mA ,R=U Z/I DZ= ~ Ω。 (1)当U I= 10V 时,若U O=U Z= 6V , 则稳压管的电流为 4mA , 小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V33 .3 IL LO????URR RU 当U I= 15V 时,由于上述同样的原因, U O= 5V 。当U I= 35V 时, U O=U Z= 5V 。(2)???RUUI)( ZID 29mA >I ZM= 25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 (1)S 闭合。(2)。,????????700 )V(233 )V( Dmin D max Dmax D minIURIUR t u O i /V53 -3 t u O O /V - t u O I1 /V3 t u O I2 /V3 t u O O /V . 波形如图所示。 60℃时I CBO ≈ 32μA。 选用β= 100 、I CBO = 10μA 的管子,其温度稳定性好。 晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表管号 T 1T 2T 3T 4T 5T 6 上ecebcb 中bbbeee bc 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料 Si Si Si Ge Ge Ge 当V BB=0 时, T 截止, u O= 12V 。当V BB= 1V 时, T 处于放大状态。因为 V9u mA 3μA60 C CQ O BQ CQ b BEQ BB BQ????????RIVIIR , ,?当V BB= 3V 时, T 处于饱和状态。因为 BE C CQ O BQ CQ b BEQ BB BQ mA 8Aμ160URIVuIIR < , ,???????? 取U CES =U BE ,若管子饱和,则管子饱和。,所以,100 C bCbC b ???????R RRRR UVR UV??? 当u I=0 时,晶体管截止,稳压管击穿, u O =- U Z =- 5V 。当u I =- 5V 时,晶体管饱和, u O= 。因为 mA 24 μA480 BC b BE IB?????II R UuI? t u 0 I /V63 t u 0 O1 /V3 t u 0 O2 /V3 5mA (a) (b) . CC ECVRIVU< ?? (a )可能(b )可能(c )不能(d )不能, T 会损坏。(e )可能 根据方程 2 GS(th) GS DSS D)1(U uIi??逐点求出确定的 u GS 下的 i D, 可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中, 将各条