文档介绍：半导体器件的基础知识
,已知ui=5sinωt (V),二极管导通电压UD=。试画出ui与uO的波形,并标出幅值。
 
 
 
 
 
 
 
 

 
 
 
 

解:。
 
(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压UD=。试画出输出电压uO的波形,并标出幅值。

 
解:。

已知稳压管的稳定电压UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。。

解:稳压管的最大稳定电流
IZM=PZM/UZ=25mA
电阻R的电流为IZM~IZmin,所以其取值范围为

 
=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。
别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值;
(2) 若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象?为什么?
 
 
 
 
解:(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故

当UI=15V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故

当UI=35V时,稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin,所以UO=UZ=6V。
(2)29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
 
(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ=3V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。
 

解:

 
。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。
 

 
解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,。
 

管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
 
,试问β大于多少时晶体管饱和?

解:取UCES=UBE,若管子饱和,则
 

所以,时,管子饱和。

。

 
解:(a)可能
(b)可能
(c)不能
(d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。
(e)可能
 
第二章基本放大电路
,使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

解:(a)将-VCC改为+VCC 。
(b)在+VCC 与基极之间加Rb。
(c)将VBB反接,且在输入端串联一个电阻。
(d)在VBB支路加Rb,在-VCC与集电极之间加Rc。
 
(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时UBEQ=。利用图解法分别求出RL=∞和RL=3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom(有效值)。

 
解:空载时:IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=6V;,。
带载时:IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=3V;,。
。

 
,晶体管的b=80,=100Ω。分别计算RL=∞和RL=3kΩ时的Q点、、Ri 和Ro。

 
解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、rbe均相等,它们分别为

空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为
RL=5kΩ时,静态管压降、电压放大倍数分别为

,晶体管的b=100,=100Ω。
(1)求电路的Q点、、Ri和Ro;
若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?