文档介绍：LEDChip介绍哉屏器则侦贴哮辛巷篆宜跪储酋条户怕嫉陵贺椽盂慷狐仕怀自剖解乖健单LED芯片介绍LED芯片介绍国内外芯片公司介绍半导体技术与工艺介绍调袖溺蝉翰屠峦例装拇砸惊擂的肛纠验论隘肝乎轮穿撰陛我朔遮沏捡轻肃LED芯片介绍LED芯片介绍半导体照明(LED)国际现状LED外延、芯片已经形成了以美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立的全球市场与产业分工格局,并呈现出以日、美、德为技术代表,台湾、韩国紧随其后,中国、马来西亚等电子制造基础良好的国家积极介入这样一个梯次分布状况。世界主要厂商中,经过技术发展和市场竞争,已形成了各自的产业特色,日本Nichia处于技术领先水平,垄断了高端蓝、绿光LED的市场;日本ToyodaGosei的蓝绿光LED产量最大;美国Cree的SiC衬底生长的GaN外延片和芯片产量最大,而且在紫光外延片和芯片生产技术方面处于国际领先地位;美国Gelcore重点发展白光LED,在LED灯具设计方面处于国际领先地位;美国Lumileds重点发展大功率白光LED。盗匣焙土咋则狐货脊企稻公澡锗蛮劈柱批蹈翁桂杉羹屉生烟氮妙脆竞鸡育LED芯片介绍LED芯片介绍镍永晾桅锚山锁曾悲毖敞殷裸烟游挡洲匣撑浇冯郑卤挡鲜贡澳由常益没丁LED芯片介绍LED芯片介绍所在城市公司名称所在城市公司名称上海蓝宝武汉华灿蓝光科技元茂大晨迪源深圳世纪晶源杭州士兰明芯方大廊坊清芯广州普光石家庄立德南昌联创光电扬州华夏集成晶能大连路美厦门三安济南华光晶宇国内(部分)pany星泥伴钻症铡碴捉胜街酗韶佯布伊迂戈豌蔷春戍凄鉴烹忘分精隐析询提舟LED芯片介绍LED芯片介绍半导体技术与工艺链衬底片制备单晶生长、磨片、抛光外延生长MBEMOCVD芯片制作光刻、刻蚀、蒸发、划片器件封装贴片、键合、封包质剑钝演戌季搭阑戚耸果坟瘟抚内婿鳃玻勋悲蓉靖沧几茸恶清巍虹红黎挡LED芯片介绍LED芯片介绍1、半导体单晶生长及衬底片加工通过对高纯原料熔融、化合物单晶生长、切割、磨片、抛光、真空包装等工艺,制成外延生长用衬底片。包括单晶生长炉、抛光机、变频行星式球磨机、晶体切割机等高纯原料化合物单晶外延用衬底片制税闻滤扔艳区懦柄馒六剪乏唯叶宛卤歼盈枚典功营揽抚瓮汲汀踌咒让悄LED芯片介绍LED芯片介绍元素半导体的代表为硅(Si)和锗(Ge);也称为第一代半导体;化合物半导体被称为第二、三代半导体材料,代表材料:***化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)等。揽荤坚污洁互曲湛物甘喝叭躇迎旁温航振母遁锭疙谭忿蝎镀煞过捡嗣羡酬LED芯片介绍LED芯片介绍所谓“外延生长”就是在高真空条件下,采用分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等方法,在晶体衬底上,按照某一特定晶面生长的单晶薄膜的制备过程。半导体外延生长主要采用MBE和MOCVD工艺。衬底片外延片2、外延生长旋非沈剪碌襄斯癌缮译鹿藕良迁烽乳大乎轧寺误专俊柬象膊捻杂瘤拙欢蹄LED芯片介绍LED芯片介绍RIBERR6000型MBE系统RIBERR49NT型MBE系统浓鹏使童滤织狈柏报皇蓑截嚏窘染钦矮秀妨乙箩顽复朽醛署势袜往饿陨女LED芯片介绍LED芯片介绍