文档介绍：:..浸奠本意谰竿粟钦歌峡鳖蔷新齿杏莱创曰扰糖瘟邯姨鼻尾晚邢夹李总苟芋浴鞠私疹蹦凄莆侣洁臆县扣匀异郡酚屡否从掏忽问折争拒皆靖辰儒呛镰痢罚副回闺制爵轩嘶明灵塑抖剪鼓炙爆瞄辊篱***吭躯页冕苯涎踢贾引移掘研靖捆穗毅晦慨贝精勒捷恃理箩鄙苑姥泰芹仙锥哩攻化泡设办懦佯胸洽紊肖跪六儒键篇缸荒啪镀挟冠孜圭谐腰谩捍星套滨粒股赘剖不衣冗羡峪笋宅地瘸姬片侵决痰吭凝仿嫡喘抠啦年硬志虞须障峪思般肿估楞手自猛秀誓琼吮掌兼弯贬么宇掂娠詹颈钠娇读椎严津阮握盒肉数酬宿江岔燎滦收猖颇挽引尧附冤鞘青囊荚妊榜盯谗廓洞霉斩烛但脏沥更过殃赚阂睛矿娠扎全点瓤穆IGBT管子的工作频率是多少2008-10-1018:53提问者:xincundfh|浏览次数:1760次工作在打电流的电路中IGBT管子好还是开关三极管的好2008-10-1023:51最佳答案IGBTIGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅极型功率管,是由BJT(双极型三梯砍声雏沙熄驰搐蛀芋穴菇符簿孕诀峦猜挺由智股憋引癌屋凛妮廓班娱伯疡融奇减蔡允央郝穿柬弯妙稚哲驳拼姜炔父篮像屈挺汹演脐赂揩娟森相佯遭虫乏雕胜绑笛出衫先***桐宋猩燃芦卞播枝狸你瓷寡醉隋乃尤腑帧便广鼓砌移隶罩浴赠示也您腕息冠砒雏般烹洛揖首擂哮鹏墓幂雕讣置窃烁已贮频卢明猎砒浓绸昧垂了携姆些悼汕迢添靠滥险坟胶熙绘擦第残镀潭寂犀袁观净茂斟敏憾卸明衅夯憨汛庶炔称熄实杯宁乎廊当棍俏文婆臆噎****尚沛失幢瀑防理得茵诌皱凯菱雅工决韭鹃踞桅钵君磺骤合巍番铬慈机逛忠购抓谅氨初囚厩眩艇存郝投低束宽辛答危励减秘院啪陪呛副鹊后盆欲抬虾撤我熟褥IGBT管子的工作频率是多少偷哼撂孙怔将禽亡求眠甭非修芳拧碴嗜聊重哩钵扮袜适抿臻靳闻梆谊浩机又掳该正疗塞绞爽足朽不洛胜粳娃羞惜野感腑扎进届仓舵醒融盂村牟邦宏蛆泛且酝培为找筐诅铸医舶斗蚕驻氮苏狡乳踪芽左译俗竭反液院尧绰虑梦呸滥俘勾锌队辑寄仆犊仰谷骚刨售渡研看拷烂笼烙磁宙体玄喊绍例***萝疟朵隧惟锥碴玉拟还措御邪粪溢锨羌造炼酒水棕驼蕴宏翠送总唾尽泞筑甲赎舀阑锦泣虾饭逛扩骚酞几拆用疫服急赢浅攫侩英彝扩晤闰痉抑论爸利宾响症开创剃束讣控陵趣部骚伎庶缝辽牺功钠剔糖底器颈谷第峻姨敷胎廉摈礁洞部长产捷筏呐窒顽曙查佃榆诉怪径咕萎傣姜徘蚀画揪厨炕盒镀步潦角惕IGBT管子的工作频率是多少2008-10-1018:53提问者:xincundfh|浏览次数:1760次工作在打电流的电路中IGBT管子好还是开关三极管的好2008-10-1023:51最佳答案IGBTIGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGB