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喷淋头高度对疓量子阱生长的影响阳趴诵,杜国同柯昀洁汉煳癶,申人升问牢,夏晓川品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明:随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减少,彩阱界面陡峭发光学报蠰摘要:在疓,.。琒..第卷第年文章编号:近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备间距的鯥/孔于逖贰@迷恿ο晕⒕、湎哐苌对样度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层组分含量减少;增加高度至一定值后,量子阱厚度及组分趋于稳定。此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显。关键词:桓叨鹊鹘冢籌/孔于中图分类号:文献标识码:,辽宁大连;A执笱У缱涌蒲в牍こ萄г杭晒獾缱友Ч抑氐闶笛槭遥A殖ご了畇獁琗—,琙—,畉.,:,,:——:修订日期:——基金项目:国家自然科学基金;国家卮笙钅恢醒敫咝;究蒲幸滴穹炎项,珼;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目作者简介:柯昀洁,女,陕西渭南人,主要从事宽带隙半导体材料生长及光电器件方面的研究猰簃...,篗;;疓,,.
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验峁胩致备的样品的表面形貌,Ⅲ族、氮化物半导体材料具有相近的晶格常数及差异较大的禁带宽度,其三元化合物—梢酝ü,因此成为⒐舛ü芎图す馄有源区的理想材料圳。目前,生长疓量子阱最为常见的方法为金属有机化学气相沉积由于喷淋头高度对生长率、金属有机源利用率、】。早在年,等对近耦合喷淋式反应室肱缌芡肪嗬辛四D猓峁砻骶嗬肱缌芡凡煌叨处,反应气体的流速及混合程度不尽相同K后瞥隽朔从κ腋叨瓤缮档腃佳高度,喷淋头高度在量子阱生长的均匀性有明显的改善器进行了模拟,结果表明喷淋头高度对反应室内气流场、温度场及反应气体浓度场的分布等有很目前对于喷淋头高度调节的研究,。由于在实验中影响外延生长的因素较多,特别是对于生长条件敏感的量子阱,其影响因素更为复杂。因此,本文从实验上调节不同喷淋头高度,制备了多组疓多量子阱样品,并通过表征及分析讨论,研究了喷实验采用的设备为詈吓缌作为、和础J紫裙潭ㄅ缌芡犯叨任赾面蓝宝石衬底上依次生长低温珊层、高温撼宀慵皀—,分别为秃舩射线衍射仪碚鞅砻嫘蚊布傲孔于褰缑嬷量。量子阱厚度、组分通过治鋈砑夂系玫健喷淋头高度下制从图中可以明显看到,随着高度增加,样品表面逐渐呈现清晰的台阶状结构。同时,所有样品表面都出现了明显的卣鱒形缺陷NA准确表征样品的表面粗糙度,避免稳毕莸挠软件来计算表面均方根植诙取1给出了样品的植诙燃癡形缺陷密度。由表中数据可得,随着喷淋头高度的增加,样品表面的稳毕菔俊⑷毕菝芏瘸氏仍龃蠛蠹跣〉墓Υ锏阶畲螅槐砻鍾粗糙度呈现单调下降。上述现象说明,╗U攵訫喷淋式反应室,片机低常üD獗砻鳎翰煌贕生长的最时对。左然等卜宰孕猩杓频男滦投嗯缌芡稭反应大影响。淋头高度对疓量子阱生长的影响。式低场@萌谆⑷一镓、三甲基铟和氨气分别头高度,生长鲋芷诘腎/孔于澹N1;ち孔于褰构,在量子阱的最后一个垒层上生长了的样品通过型号原子力扫描显微镜