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高质量癇薄膜的发光性质王玉超馓熳糎,苏龙兴湃,陈明明雷涌’发光学报摘要:用分子束外延设备插入缓冲层在胬侗κ仙さ玫礁咧柿縵和∧ぁ测试显示.,.煽如以缍锇裷噕厶。柑死如肿鳎琒渭如酔增瞖觯蹇獃‰堆,苫陏,豚酱具怠R钥珽饕咱跖正踟甧.;取阯增辏狹℃.第卷第年文章编号:.—薄膜具有六方结构和崛∠颍⒕哂辛己玫木逯柿浚渲衵薄膜的半高宽仅为,。。膜的半高宽小于。对虰薄膜的拉曼光谱进行对比研究发现,随着元素的掺入,.幽F德释蟛ㄊ较蛞贫⑶沂状畏⑾至擞隑K夭粼佑泄氐木钟蛘穸!@变温光致发光光谱研究了薄膜的发光性质,结果显示∧な椅鹿庵路⒐庵怀鱿忠桓鲎贤夥⒎⒐夥臀鹿馄则出现了很强的自由激子发光峰。随着温度的升高,束缚激子发光逐渐湮灭向自由激子发光转变,并且峰值位置红移。相对于∧ぃ珺薄膜的紫外发光主峰位置蓝移,并且由于元素的掺人导致薄膜晶体质量下降,在低温光致发光光谱中没有出现强的自由激子发光峰。另外,在低温光致发光及拉曼光谱中,主峰位置在溆芯植孔畲笾担撇馕S捎诤辖鹁Ц袢扰蛘拖凳而引起的应力效应。关键词:分子束外延;籅;光致发光;拉曼光谱中图分类号:.文献标识码:疎醪—,广东广州;愀劭萍即笱锢硐担愀—琒—.,:——Ⅱ..—猘.,..,琣瑃齟,瓵飁收稿日期:—.;修订日期:一一基金项目:国家“奔苹还易匀豢蒲Щ鹞氐阆钅手钅作者简介:王玉超,男,河南驻马店人,主要从事氲继宀牧瞎獾缣匦员碚饕约爸票腹ひ辗矫娴难芯俊..,,沁猰簑畁.
万方数据
—旷互引实验峁胩致言緎餫枷印【籞;籶“籖砌柚且恢种苯哟犊斫氲体材料,具有优越的光电性质,在蓝紫色发光二极管、深紫外探测器等方面具有广阔的应用前景,被认为是第三代半导体材料的核心之一剐。理论计算与实验验证都已经表明,通过、,从而可以实现紫外至日盲区的探测。自年等捎寐龀寮す獬粱椒ㄊ次成功制备出六方∧ひ岳矗琈合金薄膜的研究受到极大的关注并取得了令人瞩目的以难以在抑制相分离的同时又大幅度提高禁带宽雤同为六方结构,矶仍对洞笥赯,因此只需要在中掺人少量,就可以在扩大禁带宽度的同时又能保持牧较诵靠蠼峁埂辏琑等用混合束沉积方法在胬侗κ牡咨鲜次成功制备了六方纤锌矿结构∧ぃ珺基于庖恍滦颂逑翟诠獾绨氲继宀料方面的巨大应用潜力。我们运用分子束外延设备生长了高质量的ゾП∧ぜ安煌珺榉的辖鸨∧ぃ⑼ü湮鹿庵路⒐狻⒈湮共振拉曼光谱等方法对比研究了ゾП∧与辖鸨∧ぃMü颐堑墓ぷ髂芏供一些借鉴。采用分子束外延设备在胬侗κ牡咨贤薄膜,缓冲层设计如图尽射线衍射结果显示,ゾП∧さ陌敫呖斫鑫,另外基于∧さ奶厥庑裕颐遣捎撼宀憷赐庋由薄膜。图隽藌薄膜的变温光致发光谱。在低温时,光谱中出现很强的自由激子发光峰,这也从发光方面说明薄膜具有很高的晶体质量。随着温度的升高,束缚激子发光峰强度逐渐降低。自由激子发光峰强度逐渐上升,⑼给出了。。。。。:∧け湮鹿庵发光谱以及峰值能量与温度变化关系图。在低温,并没有看到与ゾП∧す馄桌嗨的精细结构。主要原因为元素的掺入导致合金薄膜结晶质量下降。随着温度的升高,紫外发外,仔细观察可以发现,峰值能量在豷躢进展。但是,因为隡的相结构不同,所度。.量可以在%之间连续变化。薄膜的生长以及发光特性的研究