1 / 74
文档名称:

SiGe%20BiCMOS工艺Ku波段低噪声放大器和混频器RFIC设计.pdf

格式:pdf   页数:74
下载后只包含 1 个 PDF 格式的文档,没有任何的图纸或源代码,查看文件列表

如果您已付费下载过本站文档,您可以点这里二次下载

分享

预览

SiGe%20BiCMOS工艺Ku波段低噪声放大器和混频器RFIC设计.pdf

上传人:Horange 2014/4/9 文件大小:0 KB

下载得到文件列表

SiGe%20BiCMOS工艺Ku波段低噪声放大器和混频器RFIC设计.pdf

文档介绍

文档介绍:电子科技大学
硕士学位论文
SiGe BiCMOS工艺Ku波段低噪声放大器和混频器RFIC设计
姓名:汪金铭
申请学位级别:硕士
专业:电路与系统
指导教师:刘光祜
20070401
摘要的噪声系数和的平坦增益,输入输出匹配!ⅲτ庞谝随着设计水平和应用要求的不断提高,无线通信系统向着小型化和集成化方向发展。片上系统琒晌R到缃沟恪=昀矗琒上系统的全集成设计已成为国内外学术界和工业界研究的热点。,,并在此基础上采用工艺实现了流片,为以后实现波段甋接收系统的单片化集成做好技术储备。本文先介绍了射频集成电路的发展背景及其国内外动态,然后简单介绍了工艺元件以及元件模型与电路设计的关系,再分别详细论述了低噪声放大器和有源双平衡混频器的基本设计原理和具体设计过程,其中包括指标的确定、电路的仿真和版图的优化设计。最后对所做的设计工作做一个总结。..×的芯片面积实现了低于的超低双边带噪声系数,大于脑鲆妫琁关键词:.
,皿畁,、.畐×.,.·猠,—..,,.,篠—Ⅱ
锄锄签名:幺丝至篁丝日期:苣暄显屡蛉日期:厶归严月膨日独创性声明关于论文使用授权的说明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。C艿难宦畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑
第一章绪论微波/射频集成电路的发展及应用前景单片微波/射频集成电路疪是利用半导体生产技术,将电路中所有的有源元件缢ḿ途骞堋⒊⌒в骞艿和无源元件绲缱琛⒌缛荨⒌绺等贾谱髟谕豢榘氲继宄牡咨系奈⒉ǎ淦档缏贰疪骷惺褂眉单、电性能指标好、可靠性高、寿命长、体积小、重量轻、一致性好、成本低等诸多优点,在当今的射频、微波电路设计中应用越来越多。如今,/广泛应用于移动通信系统、无线视频分配系统、导航定位系统、智能化交通管理系统、卫星应用和航天领域等等。它们不仅在军事应用中具有相当的重要性,在民品应用中也同样具有较好的市场和经济效益,能显著地提高整机的性能和降低价格【縪特别是在过去一二十年中,移动通信技术、全球定位系统⑽尴呔钟网的迅猛发展,大大促进了射频集成电路的发展和应用。近十年来通信技术以惊人的速度发展,而射频无线移动通信技术的发展显得尤为迅猛。例如以手机为代表的个人通信市场迅速增长,根据牡鞑镮“,,年增长率达%,预计到年,无线通信用户将达到亿人,并将超过有线通信用户。便携式通信设备在提供方便、可靠的通信服务方面扮演了重要的角色。在便携式通信设备中,无线接收机前端用来接收和解调无线信号,是便携式通信设备中最关键的一部分。为了获得更方便、可靠的通信设备,无线接收机前端必须尺寸小、功耗低、工作频率高和生产成本低。匀旌颉⒏呔ǘ取⒆远⒏咝实认灾氐慵捌渌谰叩亩ㄎ坏己健授时校频、精密测量等多方面的强大功能,已涉足众多的应用领域,如民用领域的汽车、船舶、飞机等运动物体的定位导航。在我国,拥有自主权的第一代卫星导航定位系统“北斗一号”已研发成功。导航定位系统地面接收机的射频前端电路通常的设计方法是采用分立元件或部分单片电路进行混合集成,存在体积大,成本高,不利于大批量生产,产品之间的参数离散性也较大等问题。无线局域网以其灵活性、便捷性和高效性,在各行业逐步得到广泛应用,展示了极为广阔的市场前景。目前,全球无线局域网市场处在各种不同标准
和欧洲的嗷ゾ赫凶呦蛲骋坏呐勃发展时代。目前市场上基于标准的商用芯片已经出现,但这些芯片大多采用砷化镓和双极型硅工艺实现,与后端基带采用的工艺不一致,不利于集成。以上各个应用领域的射频前端接收机系统,。但是长期以来,射频前端芯片主要由分离元件或集成度低的射频芯片构成的,不能满足目前射频集成电路的需求,并且这些芯片一般都采用砷化镓、双极型硅等工艺实现。器件的电子迁移率高,漂移速度快,适于制作高速和微波器件,但是晶圆片制备工艺比复杂,因而成本较高。而数字基带处理