文档介绍：验室的资助,在臼蚊欤实验室完成。朐谝陨侠ê另外,该学位论文为茉胝霭膈舴痿娓啄的研究成果,获得脑バ磲虏礼锉课题经费或实声明人┟:金昌垄为缒暌自耹乡日厦门大学学位论文原创性声明内填写课题或课题组负责人或实验室名称,未有此项声明内容的,本人呈交的学位论文是本人在导师指导下,独立完成的研究成果。本人在论文写作中参考其他个人或集体已经发表的研究成果,均在文中以适当方式明确标明,并符合法律规范和《厦门大学研究生学术活动规范孕》。翁可以不作特别声明。
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摘要近年来,氧化锌羌痰;和碳化硅螅艿焦惴貉芯康新型宽禁带半导体材料,氲继逵捎诰哂薪峡淼慕矶徒大的激子束缚能等特点,使得其在发光二极管和激光器等诸多器件中有着明显的优势,正因为如此,所以其高质量ゾП∧さ闹票肝5苯癜氲体研究的热点。本文在硅衬底再构的基础上,利用分子束外延诠璩牡上生长∧ぃü氤Ц馴/撼宀恪⒊Ц馴/冲层、超晶格痁缓冲层、改变氧功率以及生长气压等条件,探讨调控∧ぞ褰峁购吞岣遉薄膜质量的方法。首先利用超晶格疢作为缓冲层,分析在硅衬底上生长∧さ男蚊步峁固匦裕现疢超晶格缓冲层第一层的不同对谋∧ぶ柿亢途褰峁褂凶挪同的影响作用,第一层是腪/Ц窕撼宀阌欣谙诵靠骦薄膜的形成;而第一层为腪/Ц窕撼宀阌欣谏列靠骦薄膜的形成,且其薄膜质量更好,其样品砻娴木Я3叽绺蟾龋庋性质也更好。为了进一步研究∧さ木褰峁沟奈榷ㄇ榭觯杂赯/超晶格缓冲层先生长难罚颐窃诓煌氖奔涠云浣蠿射线衍射测试凸庵路⒐獠馐⑾稚列靠蠼峁筞会不断的向纤锌矿结构转变,其相关光致发光谱也发生了变化。其次,在同样的生长条件下生长了以痁超晶格作为缓冲层的两个样品,分析超晶格痁作为缓冲层对∧ぶ柿康挠跋欤⑾殖晶格缓冲层的第一层不同,其∧さ闹柿恳泊嬖诤艽蟮牟钜臁6杂赯作为第一层的样品薄膜质量相比于用魑5谝徊闵こ隼吹腪薄膜晶体质量更好,而且出现了规则并均匀的六角纤锌矿结构T谙壬的痁超晶格作为缓冲层的样品的基础上,我们通过改变其氧功率和生长气压,分析氧功率和生长气压对∧ぶ柿康挠跋欤⑾质实钡奶岣哐功率和生长气压有助于提高∧さ木逯柿俊再者,为了进一步探究痁超晶格缓冲层对∧さ挠跋烨榭觯
所以我们在同样的生长条件下,还生长了以痁超晶格作为缓冲层的两个样品,其差别也是只是首层的顺序不同,分别先长蚙,同样发现对于不同的首层生长出的∧さ谋砻嫘蚊灿凶藕艽蟮牟钜欤怯捎此组超晶格结构的的组分较大,从伎梢钥闯龀松列靠骦和纤锌矿峰之外,,说明由于组分过大,峋院脱觕轴择优取向生长特性明显降低。最后比较总结三组不同超晶格缓冲层疢、痁以及痁对牟煌跋欤⒎治銎湓颉关键词:怀Ц窕撼宀悖籗衬底
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第一章绪论..........................⋯.........第二章实验技术和表征方法⋯...............⋯...目录第三章硅衬底上疢超晶格缓冲层对∧さ挠跋及其性能研究........................。......。.....本文的主要工作⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.薄膜制备技术⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯薄膜表征技术⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.杷淼老晕⒕⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯弓浴木褰峁埂墓庋灾省匦浴牧系挠τ谩引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.肿邮庋由は低⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯...恿ο晕⒕⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..湎哐苌⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.庵路⒐馄.⑸引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯疢超晶格缓冲层⋯⋯⋯