文档介绍:厦门大学学位论文原创性声明本人呈交的学位论文是本人在导师指导下,独立完成的研究成果。本人在论文写作中参考其他个人或集体己经发表的研究成果,均在文中以适当方式明确标明,并符合法律规范和《厦门大学研究生学术活动规范孕》。另外,该学位论文为翁组的研究成果,获得翁组鸦蚴笛槭业资助,在笛槭彝瓿伞请在以上括号内填写课题或课题组负责人或实验室名称,未有此项声明内容的,可以不作特别声明。
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摘要和//约癦疢篢结果印证上述外延关系并且发现甅界面有较多的位错,在生长过程中原子渗关键词:籞缓冲层;半导体椅孪碌慕矶任.,激子束缚能高达蛊在紫外发光二极管、太阳能电池和激光器等方面有着广泛的应用前景,成为继笫艿焦惴貉芯康牡谌斫苯哟栋氲继宀牧希擅装氲继宀牧制备工艺决定着材料的结构和性质,是高性能器件的基础,如何制备高质量的单晶∧ぜ撼晌5鼻安牧涎芯苛煊虻娜鹊恪本文利用分子束夕延际踉诘ゾ牡咨仙薄膜,通过引入驶撼宀悖低逞芯苛薢薄膜的外延生长和结构及其电学特性。由于鶰牡拙哂邢嗤恼咝谓峁梗琙薄膜为沿单域高取向生长,蚗射线衍射极图确定外延关系为疢透到愦蟾的深度,而原子并未渗透到悖籞薄膜中甂边的‘‘软’砻鳎悦嫜刈臶较蛏ぃ琙摺病⑾和Ъけ忍宀牧下孕。砻髂擅壮叨鹊幕Ъ鼙忍宀牧洗蟆同时,引入同质缓冲层优化了∧さ木逯柿亢凸庋阅埽琗摇摆曲线半高宽最小,对应螺位错密度最小,结果表明在哂泻芮康慕发射,未见可见光,优异的光学性能在材料制备后鲈氯阅茉傧帧本文还通过实验参数条件的改变,调控纳つJ胶捅砻嫘蚊病薄膜均沿着嵩裼湃∠蛏ぃ⑾衷诘臀℃和媸钡纳つJ轿H岛状生长,表面粗糙度闲。渲邓孀盼露鹊纳叨鸾ゼ跣。ň逯量较差,而在妗℃和嫔な蔽6嵯蛲庋雍腿鹤垂餐ぃ薄膜的螺位错密度在数量级,其中媸北∧け硐殖龇蔷
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第一章绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。第三章上∧さ纳ず托阅堋第四章∧け砻嫘蚊驳牡骺亍目录第二章实验设备和技术表征手段⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯木逯霞9埂∧さ牡缪灾省本文的主要工作⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..薄膜的表征技术⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..湎哐苌⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。引入缓冲层∧さ耐庋由ぜ捌浣峁购偷缪匦浴引入缓冲层对∧ぞ逯柿亢凸庋灾实挠跋臁实验方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..温度对∧そ峁购途逯柿康挠跋臁弓浴募陨ぁ墓庋灾省膎型掺杂⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯腜型掺杂⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⒕⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.璧缱酉晕⒕⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.恿ο晕⒕⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.庵路⒐馄引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.实验方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.小结⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.
第五章总结与展望⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯硕士期间发表的论文⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.致谢⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.
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