文档介绍：大连理工大学
硕士学位论文
TiC/n型4H-SiC半导体欧姆接触研究
姓名:王槿
申请学位级别:硕士
专业:电路与系统
指导教师:王德君
20081201
摘要新一代半导体材料碳化硅侵谱鞲呶隆⒏咂怠⒏吖β势骷睦硐氩牧希纺方触技术是新型半导体材料尤其是宽带隙半导体器件研究的难点和关键技术。欧姆接触不仅与电极材料的种类有关,还受半导体表面态的影响。本文选用新型电极材料结合课题组自主开发的电子回旋共振獾壤胱犹灞砻娲砑际醵訲/纺方金属碳化物材料恰值妥栉榷ǖ幕衔锝鹗簦涔陀甋,ê桶牍ひ罩聘鱐电极,并在低温条件下退火。采用标准传输线模型法饬坎⒓扑惚冉哟サ缱鑀。。结果表明,缂扌柰嘶即可形成欧姆接触,若采用獾壤胱犹宕砟苊飨越档捅冉哟サ缱瑁⒃℃退火时获得了最小的比接触电阻值击;当退火温度超过媸保纺方哟性能开始退化,但是比接触电阻仍然低于未经氢等离子体处理的样品,说明壤子体处理对防止高温欧姆接触性能劣化仍有明显的效果。壤胱犹宥耘纺方哟バ阅艿母纳乒橐蛴谇獾壤胱犹宥許表面的清洗作用及表面态钝化作用。利用湎哐苌考察各种退火温度下电极材料与缑婕湮相及物相结构的变化。,避免了通常制备欧姆接触所需的娓呶峦嘶穑杂诜乐蛊骷母呶铝化以及提高器件的长期热稳定性具有重要意义。关键词:;磺獾壤胱犹澹慌纺方哟ィ槐冉哟サ缱触进行了研究。造成的。人连理工人学硕宦畚
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坦左年—:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的成果。尽我所知,除文中已经注明引用内容和致谢的地方外,本论文不包含其他个人或集体已经发表的研究成果,也不包含其他已申请学位或其他用途使用过的成果。与我一同工作的同志对本研究所做的贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。若有不实之处,本人愿意承担相关法律责任。学位论文题目:作者签名:日期:
导师签名:‘苫—二日期:—址年上月—丛日学位论文题目.:工未孕屠菰磺﹊￡芏豇壅隧塑逮铀巫痘撞丝￡幺年旦一月先三大连理工大学学位论文版权使用授权书本人完全了解学校有关学位论文知识产权的规定,在校攻读学位期间论文工作的知识产权属于大连理工大学,允许论文被查阅和借阅。学校有权保留论文并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印、或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。日期:作者签名:大连理工大学硕士研究生学位论文
绪论课题研究的背景及意义半导体材料亲缘谝淮K匕氲继宀牧偷诙衔锇氲继宀牧、等蠓⒄蛊鹄吹牡谌泶半导体材料。这类材料主要包括瓸立方氮化硼;、氮化铝硒化锌约敖鸶帐∧さ取S于材料自身的限制,、等传统半导体器件在的环境中显得“苍老无力”,“望尘莫及多年来,对氲继宀牧系难芯恐饕<性谝韵路矫妫大尺寸、高质量、低成本寰С牡撞牧虾捅∧げ牧系纳ぜ际酰高纯材料制备和掺杂技术:质、异质多型体结构的理论及控制技术;臀律的探索与研究;透呶隆⒖狗涞燃ǘ电子学特性理论及相关技术:骷砺邸⑹灾萍安牧虾推骷阅芗涞哪谠诠叵怠4覵研究开发整体水平看,美国位居榜首乇鹗昝拦鶦拘佳兄瞥晒α酥本为⑽⒐苋毕菝芏任A愕甋单晶,更加巩固了它在全球谐〉牧煜鹊匚,日本、俄罗斯、德国、瑞典、法国和韩国等国家也很突出,所取得的主要成就体现在:建立起耐识嘈秃鸵熘识嘈徒峁贡∧さ目煽厣だ砺郏渖ぜ际跞涨魍晟啤⒊墒欤比如,无论以或鞒牡锥贾馗瓷こ鲇乓斓腟薄膜,并成功用于器件的制备,所制备的各类电子、光电子器件能在踔℃的环境下稳定工作,抗辐射能力高出同类、器件的个数量级;捎酶牧嫉腖ㄒ涯苌ご蟪叽鏢体晶,其微管缺陷密度明显降低,型体控制、位错密度也有所改善:薄膜掺杂技术基本成熟,并广泛用于器件的制备;薄膜选择外延生长取得突破性进展:許半导体材料的极端电子学理论和技术已进行了较为透彻的研究。从各国进展综合分析表明,当前对氲继宀牧系难芯勘匦胧紫茸胖亟饩鲆韵孪拗芐应用的几个问题:魑3牡撞料的寰г诮档腿毕菝芏取⑻岣呔刃缘耐保匦氪蠓冉档推涑杀荆裨蛩耐广应用无从谈起。另外,制取高纯、高掺杂的大尺寸体晶的关键技术也应尽快突破;更大幅度降低牧咸寰Ш捅∧さ纳の露龋改善∧ず统牡准浣缑娼峁沟难芯应当有大的突破;糜谥票钙骷腟薄膜和体晶性能指标要规范化。由于蔷ぁ⒏呖萍夹虏牧希又桃道娣