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SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vol. 30 No. 6 Dec. 2009
材料、结构及工艺
退火工艺对微波等离子制备氮杂二氧化钒的影响
陈金民1 , 黄志良2 , 刘羽2
( 1. 湄洲湾职业技术学院化学工程系,福建莆田 351100 ; 2. 武汉工程大学湖北省等离子体重点实验室, 武汉 430073)
摘要: 选用 V2 O5 为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢作为气源、高纯氮作为掺杂
物,采用微波等离子体增强法, 在低温条件下合成了具有优良热致相变特性的氮杂二氧化钒
(VO2 - x N y ) 薄膜。经过退火工艺的处理,采用 XRD 、SEM 、A FM 和相变温度测试对样品进行表征,
结果表明:退火后 VO2 - x N y 薄膜的表面没有太大的变化,但是退火后样品表面有裂纹出现,薄膜的
晶体颗粒大小呈现正态分布,颗粒尺寸较均匀。退火有利于增加其纯度,改善样品结晶度,晶体尺
寸长大,并且样品的相变温度降低,幅度约为 8 ℃。
关键词: 微波等离子体; 氮杂二氧化钒; 退火工艺; 相变温度; 薄膜
中图分类号: TB43 文献标识码: A 文章编号: 1001 - 5868 (2009) 06 - 08288 - 05
Influence of Annealing Conditions on Properties of VO2 - x Ny Thin Films
Prepared by Microwave Plasma
CH EN Jin min1 , HUAN G Zhi liang2 , L IU Yu2
( 1. Department of Chemical Engineering , Meizhouwan Vocational Technology College , Putian 351100 , CHN;
2. Hubei Province Key Laboratory of Plasma Chemistry and Advance Materials , Wuhan Institute of
Chemical Technology , Wuhan 430073 , CHN)
Abstract : Using V2 O5 as molecular p recursors , high p ure hydrogen as t he gass supply and
high p ure nitrogen as adulterant , VO2 - x N y t hin films wit h good t hermal induced p hase transition
property were fabricated by synt hesized at low temperature wit h microwave Plasma enhanced
technology through coating films on glass slice. The yielded samples were characterized by X ray
Diffraction (XRD) ,SEM