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征求-硅基MEMS制造技术 纳米厚度膜抗拉强度检测方法.pdf

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IGB/T XXXXX—XXXX


前 言


本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本标准主要起草单位:北京大学
本标准主要起草人:



IIGB/T XXXXX—XXXX


硅基 MEMS 制造技术
微结构弯曲强度试验方法


1 范围

本标准规定了硅基MEMS加工所涉及的微结构弯曲强度原位片上试验的术语、试验要求和试验方法。
本标准适用于采用微电子工艺制造的微结构弯曲强度测试,微结构的材料为脆性材料。

2 规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 26111-2010 微机电系统(MEMS)技术术语
GB/T 34558-2017 金属基复合材料术语

3 术语和定义

GB/T 26111-2010 和 GB/T 34558-2017 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

等强度梁 beam of constant strength
梁的各横截面上的最大正应力都相等

3.2

硅加工工艺 silicon process
硅微加工技术。
注:虽然硅工艺一般分为表面微加工和体硅微加工,但其中的许多技术是相同的。
[GB/T 26111-2010,定义3.5.2]

3.3

弯曲强度 bending strength
试样在弯曲断裂前所承受的最大正应力。
[GB/T 34558-2017,定义3.6.1.5]

3.4

原位片上弯曲强度试验机 in situ on-chip bendingstrengthtester
将测试结构与测试装置在同一晶圆上采用同一工艺流程加工形成的,并用于评估工艺相关微纳结构
弯曲强度的试验机。


1GB/T XXXXX—XXXX

3.4.1

测试结构 test structure
为了测量材料性能或微结构的性能专门制作的微结构(例如,悬臂梁或者是固定梁)。
[GB/T 26111-2010,定义3.7.19]

3.4.2

测试装置 test device
将力或位移传递到测试结构同时可以读出力或位移的结构。

4 试验要求

4.1 原位片上弯曲强度试验机的设计要求

原位片上弯曲强度试验机示意图如图1所示,原位片上弯曲强度试验机的测试结构和测试装置示意
图如图2所示,测试结构的三视图如图3所示。




说明:
① 测试结构包括:键合锚点*、等强度梁*、加载段*;
② 测试装置包括:位移量标尺^、形变量标尺^、放大杠杆^、驱动加载点^、防撞块^、可动框架^、弹
性梁^、片上针尖^;

图1 微结构弯曲强度试验原位片上试验机示意图

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征求-硅基MEMS制造技术 纳米厚度膜抗拉强度检测方法.pdf

上传人:资料之王 2022/5/20 文件大小:886 KB

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