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IGB/T XXXXX—XXXX
前 言
本标准按照GB/T —2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC336）提出并归口。
本标准主要起草单位：北京大学
本标准主要起草人：
IIGB/T XXXXX—XXXX
硅基 MEMS 制造技术
微结构弯曲强度试验方法
1 范围
本标准规定了硅基MEMS加工所涉及的微结构弯曲强度原位片上试验的术语、试验要求和试验方法。
本标准适用于采用微电子工艺制造的微结构弯曲强度测试，微结构的材料为脆性材料。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 26111-2010 微机电系统（MEMS）技术术语
GB/T 34558-2017 金属基复合材料术语
3 术语和定义
GB/T 26111-2010 和 GB/T 34558-2017 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
等强度梁 beam of constant strength
梁的各横截面上的最大正应力都相等
硅加工工艺 silicon process
硅微加工技术。
注：虽然硅工艺一般分为表面微加工和体硅微加工，但其中的许多技术是相同的。
[GB/T 26111-2010，]
弯曲强度 bending strength
试样在弯曲断裂前所承受的最大正应力。
[GB/T 34558-2017，]
原位片上弯曲强度试验机 in situ on-chip bendingstrengthtester
将测试结构与测试装置在同一晶圆上采用同一工艺流程加工形成的，并用于评估工艺相关微纳结构
弯曲强度的试验机。
1GB/T XXXXX—XXXX
测试结构 test structure
为了测量材料性能或微结构的性能专门制作的微结构（例如，悬臂梁或者是固定梁）。
[GB/T 26111-2010，]
测试装置 test device
将力或位移传递到测试结构同时可以读出力或位移的结构。
4 试验要求
原位片上弯曲强度试验机的设计要求
原位片上弯曲强度试验机示意图如图1所示，原位片上弯曲强度试验机的测试结构和测试装置示意
图如图2所示，测试结构的三视图如图3所示。
说明：
① 测试结构包括：键合锚点*、等强度梁*、加载段*；
② 测试装置包括：位移量标尺^、形变量标尺^、放大杠杆^、驱动加载点^、防撞块^、可动框架^、弹
性梁^、片上针尖^；
图1 微结构弯曲强度试验原位片上