文档介绍：成都理工大学2015—2016学年第一学期
《模拟电子技术基础》试卷
考试形式：闭卷
大题
―
二
三
四
五
六
七
八
总分
得分
得分
一、填空题；（本大题有5小题成都理工大学2015—2016学年第一学期
《模拟电子技术基础》试卷
考试形式：闭卷
大题
―
二
三
四
五
六
七
八
总分
得分
得分
一、填空题；（本大题有5小题，13空，每空1分，共13分）。
1、 由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2、 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、 集电结。
3、 集成运放是一个高放大倍数的多级直接耦合放大电路，内部包含四个基本组
成部分，即、、和 o
4、 负反馈系统产生自激的条件是,相应的振幅条件是, 相位条件是。
5、 在理想的差分放大电路，若两个输入信号Ik" 则输出电压呻 V；
若上=100仰，们2=80rV,则差模输入电压如=叩；共模输入 电压 Lh、=rV。
得分
二、选择题；（本大题共10小题，每小题1分，共10分）。
1、当场效应管的漏极直流电流4从2mA变为4mA时，它的低频跨导g”将
（ ）。
2、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为12V, 3. 7V, 3V,
则它是（ ）。
A. NPN型硅管 C. PNP型硅管 D. PNP型错管
3、在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W,则电路中功放管的集电极最 大功耗约为（ ）o
A. 1W
B. 0. 5W
C. 0. 2W
D. 0. 8W
4、为了稳定放大电路的输出电压，应引入（
）负反馈;
5、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ ）。
A电阻阻值有误差 B晶体管参数的分散性
C晶体管参数受温度影响 D受输入信号变化的影响
6、差分放大电路的共模抑制比JU越大，表明电路（ ）。
7、 负反馈放大电路以降低电路的（
8、 稳压管的稳压区是工作在（
B,反向截止区
9、欲将方波电压转换成三角波电压，应选用（
）来提局电路的其他性能指标。
D,输入电阻
）o
）O
10、整流的目的是（ ）。
三、判断题；（本大题共10小题，每小题1分，共10分）。
1、 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）
2、 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作； （ ）
3、 若耗尽型N沟道MOS管的佐大于零，则其输入电阻会明显变小。 （ ）
4、 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。 （ ）
5^功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失