文档介绍：GaN基LED芯片制造工艺
芯片制造工艺
特点:
四道光刻
TCL
Cr/Au
不分类
1、ITO蒸镀
1 下料
2 清洗
3 ITO蒸镀
HCl超声去In球,QDR
厚度为4000Å,TCL
厂商
尺寸、亮(粗)面
亮度、波长、电压
2、Mesa图形光刻
1 匀胶
2 前烘
3 曝光
4 显影
5 后烘
正胶AZP4620、转速、时间
胶厚:50000±5000Å
通过加热去处光刻胶中的溶剂,改进其于硅片表面的粘附性及缓和光刻胶内部应力。烘箱
对光刻胶进行选择性光化学反应,将掩膜版图形转移到光刻胶。
光刻版、光强、时间
提高黏附性并增加胶体的强度。烘箱
转速、时间
ZX-238,QDR,N2 Gun Dry,
自检
3、Mesa图形刻蚀
1腐蚀
1 ICP刻蚀
2 去胶
4、ICP
HCl,QDR,N2 Gun Dry, 自检
刻蚀的程式
高度差1300Å左右
SF-M15超声,ACE,
IPA,QDR,N2 Gun Dry,
自检
5、TCL图形光刻
1 匀胶
2 前烘
3 曝光
4 显影
5 后烘
正胶RZJ-304、转速、时间
加热平板
光刻版、光强、时间
转速、时间
ZX-238,QDR, N2 Gun Dry,
自检
烘箱
6、TCL图形刻蚀
1 腐蚀
2 去胶
1 Plasma
2 合金
7、ITO合金
HCl,QDR,N2 Gun Dry,
自检
ACE,QDR,正胶玻璃液,QDR, N2 Gun Dry,自检,Hot N2 Dry
去残胶
欧姆接触(无预热)
8、PAD图形光刻
1 匀胶
2 前烘
3 曝光
5 显影
4 后烘
7 Plasma
6 烘干
提高黏附性并减少驻波
转速、时间
ZX-238,QDR, N2 Gun Dry,
自检
负胶DNR-L300-D1、转速、时间
加热平板
光刻版、光强、时间
1)蒸发光刻胶中的溶液,固化和稳定光刻胶性质; 烘箱
2)提高光刻胶的抗蚀能力和抗注入能力;
3)提高光刻胶与外延片表面的粘附性;
9、Cr/Au蒸膜
1 蒸镀
1 剥离
1 Plasma
2 合金
10、PAD图形剥离
11、PAD合金
厚度为500+15000Å
蓝膜粘,ACE超声,QDR,PMR-400,QDR,N2 Gun Dry,自检,Hot N2 Dry
去残胶
欧姆接触
12、抽点
1 抽测
1 生长SiO2
13、PECVD
钝化处理
厚度1700-2300Å
光电特性抽测数量7*7