电子技术基础(模拟部分)第五版 第5章.ppt

文档介绍：5 场效应管放大电路
金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
结型场效应管(JFET)
* ***化镓金属-半导体场效应管
各种放大器件电路性能比较
MOSFET放大电路
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本章介绍除BJT之外另一种主要类型的三段放大器件:场效应管(FET)。FET有两种主要类型:金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)和结型场效应管(JFET)。
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P沟道
耗尽型
P沟道
P沟道
N沟道
增强型
N沟道
N沟道
(耗尽型)
FET
场效应管
JFET
结型
MOSFET
绝缘栅型
(IGFET)
耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在
增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道
场效应管的分类:
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金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
N沟道增强型MOSFET
MOSFET的主要参数
N沟道耗尽型MOSFET
P沟道MOSFET
沟道长度调制效应
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N沟道增强型MOSFET
1. 结构(N沟道)
L :沟道长度
W :沟道宽度
tox :绝缘层厚度
通常 W > L
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N沟道增强型MOSFET
剖面图
1. 结构(N沟道)
符号
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N沟道增强型MOSFET
2. 工作原理
(1)vGS对沟道的控制作用
当vGS≤0时
无导电沟道, d、s间加电压时,也无电流产生。
当0<vGS <VT 时
产生电场,但未形成导电沟道(感生沟道),d、s间加电压后,没有电流产生。
当vGS >VT 时
在电场作用下产生导电沟道,d、s间加电压后,将有电流产生。
vGS越大,导电沟道越厚
VT 称为开启电压
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2. 工作原理
(2)vDS对沟道的控制作用
靠近漏极d处的电位升高
电场强度减小
沟道变薄
当vGS一定(vGS >VT )时,
vDS
ID
沟道电位梯度
整个沟道呈楔形分布
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当vGS一定(vGS >VT )时,
vDS
ID
沟道电位梯度
当vDS增加到使vGD=VT 时,在紧靠漏极处出现预夹断。
2. 工作原理
(2)vDS对沟道的控制作用
在预夹断处:vGD=vGS-vDS =VT
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预夹断后,vDS
夹断区延长
沟道电阻
ID基本不变
2. 工作原理
(2)vDS对沟道的控制作用
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