文档介绍：第卷第期北京交通大学学报..
年月.
文章编号:—.—
.×重构的原子能态
王秀娥,章小丽
.北京工商大学数理系,北京;.北京交通大学理学院,北京
摘要:为了探索表面的结构和原子的能态,在℃条件下,用低能电子衍射仪,观
察到—×重构面的图样,利用配备有设备的电子能量分析器,记录
×重构的角分辨射线光电子能谱,得出该结构中和的能态结构,
进而发现重构面仅由硅原子形成,
内和表面态的光电子能谱,得出表面态的漂移能量.
关键词:.;重构;能态;;;束缚能;能量漂移
中图分类号:. 文献标志码:
×
∞
.,,,;
.,,,
】:
℃,.×,
.—
,—×.
×.
×;,
.唱
.
、】¨:;;; ;;;
在高能和高温设备中,新技术的应用使得硅碳泛关注的问题,
:表面重构与样品温度、
隙宽,在微电子、光电子领域得到广泛的应用,成为样品处理条件有很大关系,存在×,√×
制作高温、腐蚀性条件下的快速电子器件的主体材√。,×
,即闪锌矿多形体和×和√×√。卜表面做了很多
六角多形体,在不同条件下,,但实验发现:与
,富硅表面的基本重构是×和√
大量缺陷的限制,了解表面的原子结构非常必×√.
、表面电子结构和能量漂低能电子衍射是研究表面结构有效方
移,进而分析其对材料特性的影响,是当今物理学广法,但由于实验数据采集和计算工作等方面的困难,
收稿日期:——
作者简介:王秀娥一,女,山东郓城人,:.
北京交通大学学报第卷
对×等表面的研究一般着重%的溶液中蚀刻,然后在离化水中清
于表面形貌,
补的不足,本文作者在同样实验条件下,分室中,
别用和射线光电子能谱进行研究. 有硅晶片,持续加热硅晶片,建立起稳定的硅蒸发速
先用观察在富硅条件下的表面形率约为/,使硅从硅晶片蒸发到样品上.
貌,当加热到℃时,利用仪,观察到× 再用样品导入系统将样品放在超高真空室样品分析
重构,再借助于研究了×重室中的样品架上,用仪观察样品的图
构的原子结构和原子的束缚能,并推断出其组成. ,出现×原子结构,清洁
的×重构就准备出来.
基本原理
. 探测方法
光入射到固体中,光子的能量被固体中的内层将清洁的晶片导人超高真空样品准
电子或价电子吸收,导致光致电离过程,用单电子图备室中,随着硅原子不断蒸发到样品上,样品表面的
像,辐射电子的结合能满足结构随之变化,在样品分析室中用仪反复观
一察样品表面的低能电子衍射图样:图样,直
式中:为光电子的最大初动能; 为入射光的频到出现×重构面,然后用。射线照射样品.
率; ,可射线光电子谱发自样品上直径约为的小面
推得电子的结合能,从而获得电子在激